shopping_cart
Мапа
0,00 PLN
0
Буфер обміну
Ви повинні увійти в систему
-
-
-
Category
-
Напівпровідники
- Діоди
- Тиристори
-
Електро-ізольовані модулі
- Електроізольовані модулі | ВІШАЙ (ІЧ)
- Електроізольовані модулі | INFINEON (EUPEC)
- Електроізольовані модулі | Семікрон
- Електроізольовані модулі | POWEREX
- Електроізольовані модулі | IXYS
- Електроізольовані модулі | ПОСЕЙКО
- Електроізольовані модулі | ABB
- Електроізольовані модулі | ТЕХСЕМ
- Przejdź do podkategorii
- Випрямні мости
-
Транзистори
- Транзистори | GeneSiC
- Модулі SiC MOSFET | Mitsubishi
- Модулі SiC MOSFET | STARPOWER
- Модулі ABB SiC MOSFET
- Модулі IGBT | MITSUBISHI
- Транзисторні модулі | MITSUBISHI
- Модулі MOSFET | MITSUBISHI
- Транзисторні модулі | ABB
- Модулі IGBT | POWEREX
- Модулі IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Напівпровідникові елементи з карбіду кремнію (SiC)
- Przejdź do podkategorii
- Драйвери
- Блоки потужності
- Przejdź do podkategorii
- Електричні перетворювачі
-
Пасивні компоненти (конденсатори, резистори, запобіжники, фільтри)
- Резистори
-
Запобіжники
- Мініатюрні запобіжники для електронних плат серії ABC і AGC
- Швидкі трубчасті запобіжники
- Повільні запобіжники з характеристиками GL / GG і AM
- Ультрашвидкі плавкі запобіжники
- Швидкі запобіжники: британський та американський стандарт
- Швидкі запобіжники. Європейський стандарт
- Тягові запобіжники
- Високовольтні запобіжні
- Przejdź do podkategorii
-
Конденсатори
- Конденсатори для електродвигунів
- Електролітичні конденсатори
- Снабберні конденсатори
- Конденсатори потужності
- Конденсатори для DC ланцюгів
- Конденсатори для компенсації пасивної потужності
- Високовольтні конденсатори
- Конденсатори великої потужності для індукційного нагріву
- Конденсатори для зберігання імпульсів та енергії
- Конденсатори DC LINK
- Конденсатори для ланцюгів змінного / постійного струму
- Przejdź do podkategorii
- EMI фільтри
- Іоністори (супер-конденсатори)
- Захист від стрибків напруги
- Фільтри виявлення випромінювання TEMPEST
- Przejdź do podkategorii
-
Реле та контактори
- Реле та контактори - теорія
- Напівпровідникові реле AC 3-фазні
- Напівпровідникові реле DC
- Контролери, системи управління та аксесуари
- Системи плавного пуску і реверсивні контактори
- Електромеханічні реле
- Контактори
- Оборотні перемикачі
-
Напівпровідникові реле AC 1-фазні
- РЕЛЕ AC 1-ФАЗНЫЕ СЕРИИ 1 D2425 | D2450
- Однофазное реле AC серии CWA и CWD
- Однофазное реле AC серии CMRA и CMRD
- Однофазное реле AC серии PS
- Реле AC двойное и четверное серии D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Однофазні твердотільні реле серії gn
- Однофазні напівпровідникові реле змінного струму, серія ckr
- Однофазні реле змінного струму ERDA та ERAA для DIN-рейки
- Однофазні реле змінного струму для струму 150А
- Подвійні твердотільні реле, інтегровані з радіатором для DIN-рейки
- Przejdź do podkategorii
- Напівпровідникові реле AC 1-фазні для друкованих плат
- Інтерфейсні реле
- Przejdź do podkategorii
- Індукційні компоненти
- Радіатори, варистори, термічний захист
- Вентилятори
- Кондиціонери, обладнання для шаф електричних, охолоджувачі
-
Батареї, зарядні пристрої, буферні блоки живлення та інвертори
- Батареї, зарядні пристрої - теоретичний опис
- Літій-іонні батареї. Спеціальні батареї. Система управління акумулятором (BMS)
- Батареї
- Зарядні пристрої та аксесуари
- Резервне джерело живлення ДБЖ та буферні джерела живлення
- Перетворювачі та аксесуари для фотоелектрики
- Зберігання енергії
- Паливні елементи
- Літій-іонні акумулятори
- Przejdź do podkategorii
-
Автоматика
- Підйомники Spiralift
- Запчастини для дронів Futaba
- Кінцеві вимикачі, Мікровимикачі
- Датчики Перетворювачі
- Пірометри
- Лічильники, Реле часу, Панельні вимірювальні прилади
- Промислові захисні пристрої
- Світлові і звукові сигнальні установки
- Термокамери, Тепловізори
- LED-екрани
- Керуюча апаратура
- Przejdź do podkategorii
-
Провід, літцендрат, гофровані рукави, гнучкі з'єднання
- Дроти
- Багатожильні дроти Lica
-
Кабелі і дроти для спеціальних застосувань
- Подовжувальні та компенсаційні дроти
- Дроти для термопар
- Приєднувальні дроти для датчиків PT
- Багатожильні дроти темп. -60C до +1400C
- Дроти середньої напруги
- Дроти запалювання
- Нагрівальні дроти
- Одножильні дроти темп. -60C до +450C
- Залізничні дроти
- Нагрівальні дроти для вибухонебезпечних зон
- Przejdź do podkategorii
- Оболонки
-
Плетені кабелі
- Плоскі плетені кабелі
- Круглі плетені кабелі
- Дуже гнучкі плетені кабелі - плоскі
- Дуже гнучкі плетені кабелі - круглі
- Мідні циліндричні плетені кабелі
- Мідні циліндричні плетені кабелі і кожуха
- Гнучкі заземлювальні стрічки
- Циліндричні плетені дроти з лудженої і нержавіючої сталі
- Мідні ізольовані плетені дроти PCV - температура до 85 градусів C
- Плоскі алюмінієві плетені дроти
- З'єднувальний набір - плетені дроти і трубки
- Przejdź do podkategorii
- Аксесуари для тяги
- Кабельні наконечники
- Ізольовані еластичні шини
- Багатошарові гнучкі шини
- Системи прокладки кабелю (PESZLE)
- Przejdź do podkategorii
- Zobacz wszystkie kategorie
-
Напівпровідники
-
-
Напівпровідники
Категорії
Інформація
Продуктів, позначених як "На замовлення" у стовпці "Доступна кількість", як правило, немає на складі. Такі товари можна придбати, однак через обмежену базу споживачів вони, як правило, мають вищі мінімальні кількості. DACPOL пропонує товари, яких немає на складі з наступних причин: DACPOL в даний час має на складі велику кількість електронних компонентів і додає нові продукти щодня, але наші постачальники мають десятки тисяч додаткових компонентів та їх різноманітних варіантів. Незважаючи на те, що нерозумно мати всі ці товари на складі через обмежені продажі, ми вважаємо, що в інтересах наших клієнтів є їх надання. Наша мета - поінформувати клієнтів про максимальну кількість доступних продуктів та дати їм можливість прийняти рішення на основі специфікацій, цін, наявності, необхідних мінімумів та наших технічних консультацій. Зверніть увагу, що встановивши прапорець "На складі", дисплей може обмежуватися лише товарами, доступними для доставки безпосередньо з полиці.
| Зображення | Переглянути товар | Нумер виробника | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682 | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | 155 A | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55811 | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812 | На замовлення | TO-247-3 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55813 | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | 46 A | -- | 32 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55814 | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55815 | На замовлення | TO-247-3 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55816 | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | 57 A | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55817 | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | 70 A | -- | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818 | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | -- | 55 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Diody firmy GeneSiC | ZOBACZ | Diody firmy GeneSiC 34305 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFET транзистор G3R12MT12K | ZOBACZ | G3R12MT12K | На замовлення | -- | -- | TO-247-4 | 155 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFET транзистор G3R60MT07K | ZOBACZ | G3R60MT07K | На замовлення | -- | -- | TO-247-4 | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7020 Tranzystor 53882 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 11 | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7007 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7007 Tranzystor 53879 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 25 | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55824 | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 mΩ | - | 1200 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | GD10MPS12A Dioda SiC | ZOBACZ | GD10MPS12A Dioda SiC 36236 | На замовлення | -- | TO-220-2 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7019 Tranzystor 53808 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 1-May | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7014 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7014 Tranzystor 53811 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 340 | -- | 60 | 7 | 0.142 | 0.043 | 0.025 | 0.764 | 2-Apr | 4 | BGA 0.9 x 0.9 | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET 36229 | На замовлення | TO-247-4 | -- | -- | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET | ZOBACZ | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET 36227 | На замовлення | TO-263-7 | -- | -- | 44 A44 A | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7003 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7003 Tranzystor 53846 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 30 | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23104 Tranzystor | ZOBACZ | EPC23104 Tranzystor 53851 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 11 | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 Tranzystor | ZOBACZ | EPC23103 Tranzystor 53853 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 7-Jun | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7004 Tranzystor | ZOBACZ | EPC7004 Tranzystor 53858 | На замовлення | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 7 | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- |
Результатів на сторінці:
Наша пропозиція
У нашій пропозиції ви знайдете SiC діоди та SiC і GaN транзистори.
Перевага над кремнієм
Порівняно з кремнієм, який має заборонену зону 1,12 еВ, наші напівпровідники SiC і GaN характеризуються значно більшими забороненими зонами, що становлять відповідно 3,26 еВ і 3,39 еВ.
Завдяки цьому, як SiC, так і GaN можуть працювати з вищими напругами і частотами, що робить їх ідеальними для передових технологічних застосувань.
Технологія SiC і GaN
SiC і GaN мають унікальні властивості, які впливають на їхню роботу та різноманітні застосування. Вибір відповідного матеріалу залежить від специфічних вимог проектів і застосувань.