shopping_cart
Coș
0,00 PLN
0
Clipboard
trebuie să fii logat
-
-
-
Category
-
Semiconductoare
- Diode
- tiristoare
- Module izolate electric
- Redresoare în punte
-
Tranzistoare
- tranzistoare GeneSiC
- Module MOSFET Mitsubishi SiC
- Module MOSFET STARPOWER SiC
- Module MOSFET ABB SiC
- Module IGBT de la MITSUBISHI
- Module de tranzistori MITSUBISHI
- module MITSUBISHI MOSFET
- Module de tranzistori ABB
- Module IGBT de la POWEREX
- Module IGBT - de la INFINEON (EUPEC)
- Elemente semiconductoare din carbură de siliciu
- Accesați subcategoria
- Șoferii
- Blocuri de putere
- Accesați subcategoria
- Traductoare de curent și tensiune LEM
-
Componente pasive (condensatori, rezistențe, siguranțe, filtre)
- Rezistoare
-
Siguranțe
- Siguranțe miniaturale pentru sisteme electronice din seria ABC și AGC
- Siguranțe tubulare cu acțiune rapidă
- Inserții întârziate cu caracteristici GL/GG și AM
- Legături sigure ultra-rapide
- Siguranțe standard britanice și americane cu acțiune rapidă
- Siguranțe cu acțiune rapidă standard european
- Siguranțe de tracțiune
- Siguranțe de înaltă tensiune
- Accesați subcategoria
-
Condensatoare
- Condensatoare pentru motoare
- Condensatoare electrolitice
- Condensatori Icel Film
- Condensatoare de putere
- Condensatoare pentru circuite DC
- Condensatoare de compensare a puterii
- Condensatoare de înaltă tensiune
- Condensatoare pentru încălzire prin inducție
- Condensatoare de impulsuri
- Condensatoare DC LINK
- Condensatoare pentru circuite AC/DC
- Accesați subcategoria
- Filtre anti-interferențe
- Supercondensatoare
- Protecție la supratensiune
- Filtre de emisii revelatoare TEMPEST
- Accesați subcategoria
-
Relee și Contactoare
- Teoria releelor și contactoarelor
- Relee cu stare solidă trifazată CA
- Relee cu stare solidă DC
- Regulatoare, sisteme de control și accesorii
- Porniri ușoare și contactoare inversoare
- Relee electromecanice
- Contactoare
- Comutatoare rotative
-
Relee cu stare solidă CA monofazate
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria 1 | D2425 | D2450
- Relee semifazate CA monofazate, seria CWA și CWD
- Relee semifazate CA monofazate seriile CMRA și CMRD
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria PS
- Relee cu stare solidă AC seria duble și cvadruple D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Relee monofazate din seria GN
- Relee cu stare solidă CA monofazate Seria CKR
- Relee monofazate pentru șină DIN AC SERIA ERDA și ERAA
- Relee AC monofazate pentru curent de 150A
- Relee duble cu stare solidă integrate cu radiator pe șină DIN
- Accesați subcategoria
- Relee cu stare solidă imprimabile monofazate CA
- Relee de interfață
- Accesați subcategoria
- Miezuri și alte componente inductive
- Radiatoare, Varistoare, Protectie termica
- Fani
- Aer conditionat, Accesorii tablou, Racitoare
-
Baterii, încărcătoare, surse de alimentare tampon și convertoare
- Baterii, încărcătoare - descriere teoretică
- Baterii litiu-ion. Baterii personalizate. Sistem de management al bateriei (BMS)
- baterii
- Incarcatoare de baterii si accesorii
- UPS și surse de alimentare tampon
- Convertoare si accesorii pentru fotovoltaice
- Stocarea energiei
- Pile de combustibil cu hidrogen
- Celule litiu-ion
- Accesați subcategoria
-
Automatizare
- Elevatoare Spiralift
- Piese pentru drone Futaba
- Întrerupătoare de limită, Micro întrerupătoare
- Senzori, traductoare
- Pirometre
- Contoare, relee de timp, contoare de panou
- Echipament industrial de protectie
- Semnale luminoase și sonore
- Cameră termică
- Afișaje LED
- Butoane și întrerupătoare
- Accesați subcategoria
-
Cabluri, fire Litz, Conduite, Conexiuni flexibile
- Firele
- Presetupe și manșoane
- Chipurile
-
Cabluri pentru aplicatii speciale
- Cabluri de prelungire și compensare
- Cabluri de termocuplu
- Cabluri de conectare pentru senzori PT
- Cabluri cu mai multe fire de temperatură. -60°C până la +1400°C
- Cabluri de medie tensiune SILICOUL
- Cabluri de aprindere
- Cabluri de incalzire
- Cabluri cu un singur conductor temp. -60°C până la +450°C
- Fire de cale ferată
- Cabluri de încălzire în ex
- Cabluri pentru industria de apărare
- Accesați subcategoria
- tricouri
-
Impletituri
- Impletituri plate
- Impletituri rotunde
- Impletituri foarte flexibile - plate
- Impletituri foarte flexibile - rotunde
- Impletituri cilindrice de cupru
- Impletituri si capace cilindrice din cupru
- Curele flexibile de împământare
- Impletituri cilindrice din otel zincat si inoxidabil
- Impletituri de cupru izolate PVC - temperatura de pana la 85 de grade C
- Impletituri plate din aluminiu
- Kit de conectare - impletituri si tuburi
- Accesați subcategoria
- Echipament de tracțiune
- Capse de cablu
- Sine flexibile izolate
- Sine flexibile multistrat
- Sisteme de management al cablurilor
- Accesați subcategoria
- Vezi toate categoriile
-
Semiconductoare
-
-
Semiconductori
Categorii
informație
Produsele marcate „La comandă” în coloana „Cantitate disponibilă” nu sunt de obicei în stoc. Astfel de produse sunt disponibile pentru cumpărare, totuși, datorită bazei limitate de clienți, de obicei au cantități minime mai mari. DACPOL oferă produse care nu sunt în stoc din următoarele motive: DACPOL are în prezent un număr mare de componente electronice în stoc și adaugă produse noi în fiecare zi, cu toate acestea, zeci de mii de componente suplimentare și diferitele variante ale acestora sunt disponibile de la furnizorii noștri. Chiar dacă este nerezonabil să aveți toate aceste produse în stoc din cauza vânzărilor limitate, credem că este în interesul clienților noștri să le punem la dispoziție. Scopul nostru este de a informa clienții cu privire la numărul maxim de produse disponibile și de a le permite să ia decizii pe baza specificațiilor, prețurilor, disponibilității, minimelor necesare și sfaturilor noastre tehnice. Vă rugăm să rețineți că bifarea casetei de selectare „În stoc” poate limita afișarea la numai produsele disponibile pentru livrare direct de pe raft.
| Imagina | Vizualizați produsul | Producător nr. | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682 | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | 155 A | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55811 | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812 | La comandă | TO-247-3 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55813 | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | 46 A | -- | 32 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55814 | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55815 | La comandă | TO-247-3 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55816 | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | 57 A | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55817 | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | 70 A | -- | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818 | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | -- | 55 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Diody firmy GeneSiC | VEZI-L | Diody firmy GeneSiC 34305 | La comandă | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor MOSFET SiC G3R12MT12K | VEZI-L | G3R12MT12K | La comandă | -- | -- | TO-247-4 | 155 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzistor MOSFET SiC G3R60MT07K | VEZI-L | G3R60MT07K | La comandă | -- | -- | TO-247-4 | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 Tranzystor | VEZI-L | EPC7020 Tranzystor 53882 | La comandă | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 11 | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7007 Tranzystor | VEZI-L | EPC7007 Tranzystor 53879 | La comandă | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 25 | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55824 | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 mΩ | - | 1200 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | GD10MPS12A Dioda SiC | VEZI-L | GD10MPS12A Dioda SiC 36236 | La comandă | -- | TO-220-2 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 Tranzystor | VEZI-L | EPC7019 Tranzystor 53808 | La comandă | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 1-May | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7014 Tranzystor | VEZI-L | EPC7014 Tranzystor 53811 | La comandă | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 340 | -- | 60 | 7 | 0.142 | 0.043 | 0.025 | 0.764 | 2-Apr | 4 | BGA 0.9 x 0.9 | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET 36229 | La comandă | TO-247-4 | -- | -- | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET | VEZI-L | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET 36227 | La comandă | TO-263-7 | -- | -- | 44 A | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7003 Tranzystor | VEZI-L | EPC7003 Tranzystor 53846 | La comandă | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 30 | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23104 Tranzystor | VEZI-L | EPC23104 Tranzystor 53851 | La comandă | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 11 | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 Tranzystor | VEZI-L | EPC23103 Tranzystor 53853 | La comandă | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 7-Jun | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7004 Tranzystor | VEZI-L | EPC7004 Tranzystor 53858 | La comandă | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 7 | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- |
Rezultate pe pagina:
Oferta noastră
În oferta noastră veți găsi diode SiC și tranzistori SiC și GaN.
Avantaj față de siliciu
În comparație cu siliciul, care are o bandă interzisă de 1,12 eV, semiconductorii noștri SiC și GaN se caracterizează prin benzi interzise semnificativ mai mari, de 3,26 eV și, respectiv, 3,39 eV.
Datorită acestui fapt, atât SiC, cât și GaN pot gestiona tensiuni și frecvențe mai mari, ceea ce le face ideale pentru aplicații tehnologice avansate.
Tehnologia SiC și GaN
SiC și GaN au proprietăți unice care le afectează funcționarea și diversele aplicații. Alegerea materialului potrivit depinde de cerințele specifice ale proiectelor și aplicațiilor.