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| Image | Voir le produit | Fabricant no | |||||||||||||||||||||||||
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GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682 | En commande | TO-247-4 | -- | -- | 155 A | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | |
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GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55811 | En commande | TO-247-4 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812 | En commande | TO-247-3 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55813 | En commande | TO-263-7 | -- | -- | 46 A | -- | 32 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55814 | En commande | TO-247-4 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55815 | En commande | TO-247-3 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55816 | En commande | TO-263-7 | -- | -- | 57 A | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55817 | En commande | TO-247-4 | -- | -- | 70 A | -- | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818 | En commande | TO-263-7 | -- | -- | -- | 55 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V | |
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GeneSiC Semiconductor | Diody firmy GeneSiC | VOIR | Diody firmy GeneSiC 34305 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor MOSFET SiC G3R12MT12K | VOIR | G3R12MT12K | En commande | -- | -- | TO-247-4 | 155 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | ||
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | Transistor MOSFET SiC G3R60MT07K | VOIR | G3R60MT07K | En commande | -- | -- | TO-247-4 | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 Tranzystor | VOIR | EPC7020 Tranzystor 53882 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 11 | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7007 Tranzystor | VOIR | EPC7007 Tranzystor 53879 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 25 | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55824 | En commande | TO-263-7 | -- | -- | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 mΩ | - | 1200 V |
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GeneSiC Semiconductor | GD10MPS12A Dioda SiC | VOIR | GD10MPS12A Dioda SiC 36236 | En commande | -- | TO-220-2 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 Tranzystor | VOIR | EPC7019 Tranzystor 53808 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 1-May | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7014 Tranzystor | VOIR | EPC7014 Tranzystor 53811 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 340 | -- | 60 | 7 | 0.142 | 0.043 | 0.025 | 0.764 | 2-Apr | 4 | BGA 0.9 x 0.9 | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET 36229 | En commande | TO-247-4 | -- | -- | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET 36227 | En commande | TO-263-7 | -- | -- | 44 A | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7003 Tranzystor | VOIR | EPC7003 Tranzystor 53846 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 30 | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23104 Tranzystor | VOIR | EPC23104 Tranzystor 53851 | En commande | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 11 | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 Tranzystor | VOIR | EPC23103 Tranzystor 53853 | En commande | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 7-Jun | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7004 Tranzystor | VOIR | EPC7004 Tranzystor 53858 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 7 | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- |
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Avantage sur le Silicium
Comparés au silicium, qui a une bande interdite de 1,12 eV, nos semi-conducteurs SiC et GaN se caractérisent par des bandes interdites nettement plus grandes, mesurant respectivement 3,26 eV et 3,39 eV.
Grâce à cela, le SiC et le GaN peuvent gérer des tensions et des fréquences plus élevées, ce qui les rend idéaux pour les applications technologiques avancées.
Technologie SiC et GaN
Le SiC et le GaN possèdent des propriétés uniques qui influencent leur fonctionnement et leurs diverses applications. Le choix du matériau approprié dépend des exigences spécifiques des projets et des applications.