shopping_cart
Chariot
0,00 PLN
0
Cache
Vous devez être connecté
-
-
-
Category
-
Semi-conducteurs
- La diode
- Les thyristors
- Modules de puissance isolés
- Ponts redresseurs
-
Transistors
- Transistors | GeneSiC
- Modules MOSFET SiC | Mitsubishi
- Modules MOSFET SiC | STARPOWER
- Modules MOSFET SiC ABB
- Modules IGBT | MITSUBISHI
- Modules de transistors | MITSUBISHI
- Modules MOSFET | MITSUBISHI
- Modules de transistors | ABB
- Modules IGBT | POWEREX
- Modules IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Composants semiconducteurs en carbure de silicium
- Przejdź do podkategorii
- Circuits de commande
- Blocs de puissance
- Przejdź do podkategorii
- Transducteurs électriques
-
Composants passifs (condensateurs, résistances, fusibles, filtres)
- Résistances
-
Fusibles
- Fusibles miniatures pour c.imp. série ABC et AGC
- Fusible rapides tubulaires
- Cartouches de courbe GL/GG et AM
- Cartouches ultrarapides
- Fusibles à action rapide (norme britannique et américaine)
- Fusibles à action rapide (norme européenne)
- Fusibles de traction
- Cartouche de haute tension
- Przejdź do podkategorii
-
Condensateurs
- Condensateurs pour moteurs
- Condensateurs électrolitiques
- Condensateurs de type snubbers
- Condensateurs de puissance
- Condensateurs pour circuits continus
- Condensateurs de compensation de puissance
- Condensateurs de haute tension
- Condensateurs pour chauffage par induction
- Condensateurs pour impulsions
- Condensateurs DC LINK
- Condensateurs pour circuits AC/DC
- Przejdź do podkategorii
- Filtres anti-interférences
- Supercondensateurs
- Protection contre les surtensions
- Filtres de détection des émissions TEMPEST
- Przejdź do podkategorii
-
Relais et contacteurs
- Théorie relais et contacteurs
- Relais statiques triphasés
- Relais statiques CC
- Régulateurs, circuits de commande et accessoires
- Démarrages progressifs et contacteurs inverseurs
- Relais electromécaniques
- Contacteurs
- Commutateurs rotatifs
-
Relais statiques monophasés
- Relais semi-conducteurs AC monophasés, série 1 | D2425 | D2450
- Relais à semi-conducteurs CA monophasés, séries CWA et CWD
- Relais à semi-conducteurs CA monophasés des séries CMRA et CMRD
- Relais à semi-conducteurs CA monophasés, série PS
- Relais semi-conducteurs AC double et quadruple, série D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Relais statiques monophasés, série GN
- Relais à semi-conducteurs CA monophasés, série CKR
- Relais AC monophasés SÉRIES ERDA ET ERAA pour rail DIN
- Relais CA monophasés pour courant 150A
- Relais à semi-conducteurs doubles intégrés à un dissipateur thermique pour un rail DIN
- Przejdź do podkategorii
- Relais statiques monophasé pour c.imp.
- Relais d'interface
- Przejdź do podkategorii
- Composants inductifs
- Radiateurs, varistances, protections thermiques
- Ventilateurs
- Climatiseurs et accessoires d'armoires électriques
-
Batteries, chargeurs, blocs d'alimentation tampon et onduleurs
- Batteries et Chargeurs - théorie
- Batteries Li-ion et non-standards. Systèmes de gestion des batteries (BMS)
- Batteries
- Chargeurs de batteries et accessoires
- Alimentation de secours UPS et alimentation tampon
- Convertisseurs de tension et accessoires pour photovoltaïque
- Stockage d'Energie
- Réservoirs de carburant
- Batteries lithium-ion
- Przejdź do podkategorii
-
Automatique industrielle
- Élévateurs Spiralift
- Pièces pour drones Futaba
- Interrupteurs de fin de course, micro-rupteurs
- Capteurs et convertisseurs
- Pyromètres
- Compteurs, Relais temporisés, Indicateurs de tableau
- Appareils industriels de protection
- Signalisation lumineuse et sonore
- Caméra thermique
- Afficheurs à LED
- Boutons et commutateurs
- Przejdź do podkategorii
-
Câbles et chemins de câbles
- Fils
- Passe-câbles et coupleurs
- Fils de Litz
- Câbles pour les applications spéciales
- Gaines
-
Tresses
- Tresses plates
- Tresses rondes
- Tresses très souples - plates
- Tresses très souples - rondes
- Tresses cuivre cylindriques
- Tresses cuivre cylindriques et protection
- Bandes de mise à la terre souples
- Tresses en acier zingué et inox
- Tresses isolantes en PVC - temp. 85°C
- Tresses plates en aluminium
- Kit de liaison - tresses et gaines
- Przejdź do podkategorii
- Equipement pour la traction
- Cosses
- Barres flexible isolées
- Barre flexibles multicouches
- Systèmes de traçage des câbles
- Przejdź do podkategorii
- Zobacz wszystkie kategorie
-
Semi-conducteurs
-
-
Semi-conducteurs
Catégories
Information
Les produits marqués «En commande» dans la colonne «Quantité disponible» ne sont généralement pas en stock. Ces produits sont disponibles à l'achat, cependant, en raison de leur clientèle limitée, ils ont généralement des quantités minimales plus élevées. DACPOL propose des produits qui ne sont pas en stock pour les raisons suivantes: DACPOL a actuellement un grand nombre de composants électroniques en stock et ajoute de nouveaux produits chaque jour, cependant, des dizaines de milliers de composants supplémentaires et leurs différentes variantes sont disponibles chez nos fournisseurs. Même s'il n'est pas raisonnable d'avoir tous ces produits en stock en raison des ventes limitées, nous pensons qu'il est dans le meilleur intérêt de nos clients de les rendre disponibles. Notre objectif est d'informer les clients sur le nombre maximum de produits disponibles et de leur permettre de prendre des décisions en fonction des spécifications, des prix, de la disponibilité, des minimums requis et de nos conseils techniques. Veuillez noter que la sélection de la case à cocher «En stock» peut limiter l'affichage aux seuls produits disponibles à la livraison directement en rayon.
| Image | Voir le produit | Fabricant no | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682 | En commande | TO-247-4 | -- | -- | 155 A | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55811 | En commande | TO-247-4 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812 | En commande | TO-247-3 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55813 | En commande | TO-263-7 | -- | -- | 46 A | -- | 32 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55814 | En commande | TO-247-4 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55815 | En commande | TO-247-3 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55816 | En commande | TO-263-7 | -- | -- | 57 A | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55817 | En commande | TO-247-4 | -- | -- | 70 A | -- | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818 | En commande | TO-263-7 | -- | -- | -- | 55 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Diody firmy GeneSiC | VOIR | Diody firmy GeneSiC 34305 | En commande | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Transistor MOSFET SiC G3R12MT12K | VOIR | G3R12MT12K | En commande | -- | -- | TO-247-4 | 155 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Transistor MOSFET SiC G3R60MT07K | VOIR | G3R60MT07K | En commande | -- | -- | TO-247-4 | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 Tranzystor | VOIR | EPC7020 Tranzystor 53882 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 11 | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7007 Tranzystor | VOIR | EPC7007 Tranzystor 53879 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 25 | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55824 | En commande | TO-263-7 | -- | -- | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 mΩ | - | 1200 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | GD10MPS12A Dioda SiC | VOIR | GD10MPS12A Dioda SiC 36236 | En commande | -- | TO-220-2 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 Tranzystor | VOIR | EPC7019 Tranzystor 53808 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 1-May | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7014 Tranzystor | VOIR | EPC7014 Tranzystor 53811 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 340 | -- | 60 | 7 | 0.142 | 0.043 | 0.025 | 0.764 | 2-Apr | 4 | BGA 0.9 x 0.9 | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET 36229 | En commande | TO-247-4 | -- | -- | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET | VOIR | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET 36227 | En commande | TO-263-7 | -- | -- | 44 A | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7003 Tranzystor | VOIR | EPC7003 Tranzystor 53846 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 30 | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23104 Tranzystor | VOIR | EPC23104 Tranzystor 53851 | En commande | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 11 | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 Tranzystor | VOIR | EPC23103 Tranzystor 53853 | En commande | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 7-Jun | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7004 Tranzystor | VOIR | EPC7004 Tranzystor 53858 | En commande | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 7 | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- |
Résultats par page:
Notre Offre
Dans notre offre, vous trouverez des diodes SiC et des transistors SiC et GaN.
Avantage sur le Silicium
Comparés au silicium, qui a une bande interdite de 1,12 eV, nos semi-conducteurs SiC et GaN se caractérisent par des bandes interdites nettement plus grandes, mesurant respectivement 3,26 eV et 3,39 eV.
Grâce à cela, le SiC et le GaN peuvent gérer des tensions et des fréquences plus élevées, ce qui les rend idéaux pour les applications technologiques avancées.
Technologie SiC et GaN
Le SiC et le GaN possèdent des propriétés uniques qui influencent leur fonctionnement et leurs diverses applications. Le choix du matériau approprié dépend des exigences spécifiques des projets et des applications.