Полупроводници

Naša Ponuda

U našoj ponudi ćete pronaći SiC diode i SiC i GaN tranzistore.

Prednost u odnosu na silicijum

U poređenju sa silicijumom, koji ima zabranjenu zonu od 1,12 eV, naši poluprovodnici SiC i GaN se odlikuju znatno većim...

Naša Ponuda

U našoj ponudi ćete pronaći SiC diode i SiC i GaN tranzistore.

...
Опширније

Категорије

Прикажи филтере
Сакриј филтереФилтрацијаПрикажи филтере X
Manufacturers
more... less
Тип кућишта
more... less
IFAV
more... less
Тип кућишта
more... less
Континуирана струјаИ Д при Тц = 25 о Ц
more... less
Конфигурација
more... less
Континуирана струја И Д при Тц = 100 о Ц.
more... less
Континуирана струја И Ц при Тц = 100 о Ц
more... less
Rds(on)
more... less
Напетост URRM
more... less
VDSmax
more... less
VGSmax
more... less
QG typ (nC)
more... less
QGS typ (nC)
more... less
QGD typ (nC)
more... less
QOSS typ (nC)
more... less
ID (A)
more... less
Pulsed ID (A)
more... less
Package (mm)
more... less
RDS(ON) za VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) za VGS = 15 V
more... less
Волтажа UDS
more... less
Filter
Информације close
Products that are marked "On Order" in the "Available Quantity" column are usually not in stock. Such products are available for purchase, however, due to their limited customer base, they usually have higher minimum quantities. DACPOL offers products that are not in stock for the following reasons: DACPOL currently has a large number of electronic components in stock and adds new products every day, however, tens of thousands of additional components and their various variants are available from our suppliers. Even though it is unreasonable to have all these products in stock due to the limited sales, we believe that it is in the best interest of our customers to make them available. Our goal is to inform customers about the maximum number of products available and enable them to make decisions based on specifications, prices, availability, required minimums and our technical advice. Please note that selecting the "In Stock" checkbox may limit the display to only products available for delivery straight from the shelf.
ПДФ Слика
Произвођач
Назив производа
Погледајте производ Не. Произвођач
Количина доступна
Тип кућишта
Тип кућишта
Континуирана струјаИ Д при Тц = 25 о Ц
Конфигурација
Континуирана струја И Д при Тц = 100 о Ц.
Континуирана струја И Ц при Тц = 100 о Ц
Rds(on)
Напетост URRM
VDSmax
VGSmax
QG typ (nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
ID (A)
Pulsed ID (A)
Package (mm)
RDS(ON) za VGS = 18 V
RDS(ON) za VGS = 15 V
Волтажа UDS
-- G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682 On Order TO-247-4 -- -- 155 A -- 110 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 12 mΩ 1200 V
-- G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55811 On Order TO-247-4 -- -- 42 A -- 30 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 60 mΩ -- 650 V
-- G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812 On Order TO-247-3 -- -- 42 A -- 30 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 60 mΩ -- 650 V
-- G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55813 On Order TO-263-7 -- -- 46 A -- 32 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 60 mΩ -- 650 V
-- G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55814 On Order TO-247-4 -- -- 52 A -- 37 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 45 mΩ - 650 V
-- G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55815 On Order TO-247-3 -- -- 52 A -- 37 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 45 mΩ - 650 V
-- G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55816 On Order TO-263-7 -- -- 57 A -- 42 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 45 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55817 On Order TO-247-4 -- -- 70 A -- 50 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 33 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818 On Order TO-263-7 -- -- -- 55 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 33 mΩ - 650 V
-- Diody firmy GeneSiC GeneSiC Semiconductor Diody firmy GeneSiC ВИДИ ГА Diody firmy GeneSiC 34305 On Order -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf СиЦ МОСФЕТ транзистор Г3Р12МТ12К GeneSiC Semiconductor СиЦ МОСФЕТ транзистор Г3Р12МТ12К ВИДИ ГА G3R12MT12K On Order -- -- TO-247-4 155 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 12 mΩ 1200 V
picture_as_pdf СиЦ МОСФЕТ транзистор Г3Р60МТ07К GeneSiC Semiconductor СиЦ МОСФЕТ транзистор Г3Р60МТ07К ВИДИ ГА G3R60MT07K On Order -- -- TO-247-4 48 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - 60 mΩ 750 V
-- EPC7020 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC7020 Tranzystor ВИДИ ГА EPC7020 Tranzystor 53882 On Order -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- 11 -- 200 6 11-Jul 3-May 2-Feb 76 39 170 BGA 4.6 x 2.6 -- -- --
-- EPC7007 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC7007 Tranzystor ВИДИ ГА EPC7007 Tranzystor 53879 On Order -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- 25 -- 200 6 5-Apr 1-May 1 37 20 80 LGA 3.6 x 1.6 -- -- --
-- G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55824 On Order TO-263-7 -- -- 68 A -- 48 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- 40 mΩ - 1200 V
-- GD10MPS12A Dioda SiC GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A Dioda SiC ВИДИ ГА GD10MPS12A Dioda SiC 36236 On Order -- TO-220-2 -- -- -- -- -- 1200 V -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- --
-- EPC7019 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC7019 Tranzystor ВИДИ ГА EPC7019 Tranzystor 53808 On Order -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- 1-May -- 40 6 23 7-Jun 3-Apr 51 95 530 LGA 6.05 x 2.3 -- -- --
-- EPC7014 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC7014 Tranzystor ВИДИ ГА EPC7014 Tranzystor 53811 On Order -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- 340 -- 60 7 0.142 0.043 0.025 0.764 2-Apr 4 BGA 0.9 x 0.9 -- -- --
-- G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET 36229 On Order TO-247-4 -- -- 48 A -- 34 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - 60 mΩ 750 V
-- G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET ВИДИ ГА G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET 36227 On Order TO-263-7 -- -- 44 A -- 31 A -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- -- - 60 mΩ 750 V
-- EPC7003 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC7003 Tranzystor ВИДИ ГА EPC7003 Tranzystor 53846 On Order -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- 30 -- 100 6 1-Aug 0.6 0.3 9-Apr 10 42 LGA 1.7 x 1.1 -- -- --
-- EPC23104 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC23104 Tranzystor ВИДИ ГА EPC23104 Tranzystor 53851 On Order -- -- -- -- Half Bridge ePower Stage -- -- 11 -- 100 6 -- -- -- 15, 16.6 15 78 QFN 3.5 x 5 -- -- --
-- EPC23103 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC23103 Tranzystor ВИДИ ГА EPC23103 Tranzystor 53853 On Order -- -- -- -- Half Bridge ePower Stage -- -- 7-Jun -- 100 6 -- -- -- 21, 22.95 25 109 QFN 3.5 x 5 -- -- --
-- EPC7004 Tranzystor EPC (Efficient Power Conversion) EPC7004 Tranzystor ВИДИ ГА EPC7004 Tranzystor 53858 On Order -- -- -- -- Single Rad Hard -- -- 7 -- 100 6 6-Apr 2-Feb 1-Jan 37 60 160 LGA 4.1 x 1.6 -- -- --
Резултати по страни:

Naša Ponuda

U našoj ponudi ćete pronaći SiC diode i SiC i GaN tranzistore.

Prednost u odnosu na silicijum

U poređenju sa silicijumom, koji ima zabranjenu zonu od 1,12 eV, naši poluprovodnici SiC i GaN se odlikuju znatno većim zabranjenim zonama, koje iznose 3,26 eV i 3,39 eV, respektivno.

Zahvaljujući tome, i SiC i GaN mogu da podnesu više napone i frekvencije, što ih čini idealnim za napredne tehnološke primene.

SiC i GaN tehnologija

SiC i GaN poseduju jedinstvena svojstva koja utiču na njihov rad i raznovrsne primene. Izbor odgovarajućeg materijala zavisi od specifičnih zahteva projekata i primena.