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| Bild | Produkt anzeigen | Hersteller-Nr | |||||||||||||||||||||||||
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GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682 | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | 155 A | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | |
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GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55811 | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812 | Verfügbare Menge | TO-247-3 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55813 | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | 46 A | -- | 32 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55814 | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55815 | Verfügbare Menge | TO-247-3 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55816 | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | 57 A | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55817 | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | 70 A | -- | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818 | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | -- | 55 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V | |
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GeneSiC Semiconductor | Diody firmy GeneSiC | SEHEN SIE ES | Diody firmy GeneSiC 34305 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | SiC-MOSFET-Transistor G3R12MT12K | SEHEN SIE ES | G3R12MT12K | Verfügbare Menge | -- | -- | TO-247-4 | 155 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | ||
| picture_as_pdf |
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GeneSiC Semiconductor | SiC-MOSFET-Transistor G3R60MT07K | SEHEN SIE ES | G3R60MT07K | Verfügbare Menge | -- | -- | TO-247-4 | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 Tranzystor | SEHEN SIE ES | EPC7020 Tranzystor 53882 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 11 | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7007 Tranzystor | SEHEN SIE ES | EPC7007 Tranzystor 53879 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 25 | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55824 | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 mΩ | - | 1200 V |
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GeneSiC Semiconductor | GD10MPS12A Dioda SiC | SEHEN SIE ES | GD10MPS12A Dioda SiC 36236 | Verfügbare Menge | -- | TO-220-2 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 Tranzystor | SEHEN SIE ES | EPC7019 Tranzystor 53808 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 1-May | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7014 Tranzystor | SEHEN SIE ES | EPC7014 Tranzystor 53811 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 340 | -- | 60 | 7 | 0.142 | 0.043 | 0.025 | 0.764 | 2-Apr | 4 | BGA 0.9 x 0.9 | -- | -- | -- |
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GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET 36229 | Verfügbare Menge | TO-247-4 | -- | -- | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
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GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET | SEHEN SIE ES | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET 36227 | Verfügbare Menge | TO-263-7 | -- | -- | 44 A | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7003 Tranzystor | SEHEN SIE ES | EPC7003 Tranzystor 53846 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 30 | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23104 Tranzystor | SEHEN SIE ES | EPC23104 Tranzystor 53851 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 11 | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 Tranzystor | SEHEN SIE ES | EPC23103 Tranzystor 53853 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 7-Jun | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
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EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7004 Tranzystor | SEHEN SIE ES | EPC7004 Tranzystor 53858 | Verfügbare Menge | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 7 | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- |
Ergebnisse pro Seite:
Unser Angebot
In unserem Angebot finden Sie SiC-Dioden sowie SiC- und GaN-Transistoren.
Vorteil gegenüber Silizium
Im Vergleich zu Silizium, das eine Bandlücke von 1,12 eV hat, zeichnen sich unsere SiC- und GaN-Halbleiter durch deutlich größere Bandlücken von 3,26 eV bzw. 3,39 eV aus.
Dadurch können sowohl SiC als auch GaN höhere Spannungen und Frequenzen verarbeiten, was sie ideal für fortgeschrittene technologische Anwendungen macht.
SiC- und GaN-Technologie
SiC und GaN besitzen einzigartige Eigenschaften, die sich auf ihre Funktionsweise und vielfältigen Anwendungen auswirken. Die Wahl des richtigen Materials hängt von den spezifischen Anforderungen der Projekte und Anwendungen ab.