-
-
-
Category
-
Полупроводниковые приборы
- Диоды
- Тиристоры
-
Электро-изолированные модули
- Электроизолированные модули | ВИШАЙ (ИК)
- Электроизолированные модули | INFINEON (EUPEC)
- Электроизолированные модули | Семикрон
- Электроизолированные модули | POWEREX
- Электроизолированные модули | IXYS
- Электроизолированные модули | ПОЗЕЙКО
- Электроизолированные модули | ABB
- Электроизолированные модули | TECHSEM
- Przejdź do podkategorii
- Выпрямительные мостики
-
Транзисторы
- Транзисторы | GeneSiC
- Модули SiC MOSFET | Mitsubishi
- Модули SiC MOSFET | STARPOWER
- Модули ABB SiC MOSFET
- Модули IGBT | МИЦУБИСИ
- Транзисторные модули | MITSUBISHI
- Модули MOSFET | МИЦУБИСИ
- Транзисторные модули | ABB
- Модули IGBT | POWEREX
- Модули IGBT | INFINEON (EUPEC)
- Полупроводниковые элементы из карбида кремния (SiC)
- Przejdź do podkategorii
- Драйвера
- Блоки мощности
- Przejdź do podkategorii
- Электрические преобразователи
-
Пассивные компоненты (конденсаторы, резисторы, предохранители, фильтры)
- Резисторы
-
Предохранители
- Миниатюрные предохранители для электронных плат серии ABC и AGC
- Быстрые трубчатые предохранители
- Медленные вставки с характеристиками GL/GG и AM
- Ультрабыстрые плавкие вставки
- Быстрые предохранители английский и американский стандарт
- Быстрые предохранители европейский стандарт
- Тяговые предохранители
- Высоковольтные предохранительные вставки
- Przejdź do podkategorii
-
Конденсаторы
- Конденсаторы для электромоторов
- Электролитические конденсаторы
- Конденсаторы типа snubbers
- Конденсаторы мощности
- Конденсаторы для цепей DC
- Конденсаторы для компенсации пассивной мощности
- Высоковольтные конденсаторы
- Конденсаторы большой мощности для индукционного нагрева
- Импульсные конденсаторы
- Конденсаторы звена постоянного тока
- Конденсаторы для цепей переменного/постоянного тока
- Przejdź do podkategorii
- Противопомеховые фильтры
- Ионисторы
- Защита от перенапряжения
- Фильтры обнаружения излучения TEMPEST
- Przejdź do podkategorii
-
Реле и контакторы
- Теория реле и контакторы
- Полупроводниковые реле AC 3-фазные
- Полупроводниковые реле DC
- Контроллеры, системы управления и аксессуары
- Системы плавного пуска и реверсивные контакторы
- Электро-механические реле
- Контакторы
- Оборотные переключатели
-
Полупроводниковые реле AC 1-фазные
- РЕЛЕ AC 1-ФАЗНЫЕ СЕРИИ 1 D2425 | D2450
- Однофазное реле AC серии CWA и CWD
- Однофазное реле AC серии CMRA и CMRD
- Однофазное реле AC серии PS
- Реле AC двойное и четверное серии D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- Однофазные твердотельные реле серии gn
- Однофазные полупроводниковые реле переменного тока серии ckr
- Однофазные реле переменного тока ERDA И ERAA SERIES для DIN-рейки
- Однофазные реле переменного тока на ток 150А
- Двойные твердотельные реле, интегрированные с радиатором для DIN-рейки
- Przejdź do podkategorii
- Полупроводниковые реле AC 1-фазные для печати
- Интерфейсные реле
- Przejdź do podkategorii
- Индукционные компоненты
- Радиаторы, варисторы, термическая защита
- Вентиляторы
- Кондиционеры, оборудование для шкафов, охладители
-
Аккумуляторы, зарядные устройства, буферные источники питания и инверторы
- Аккумуляторы, зарядные устройства - теоретическое описание
- Модульные литий-ионные аккумуляторы, пользовательские батареи, Система управления батареями (BMS)
- Аккумуляторы
- Зарядные устройства и аксессуары
- Резервный источник питания ИБП и буферные источники питания
- Преобразователи и аксессуары для фотовольтаики
- Хранилище энергии
- Топливные элементы
- Литий-ионные аккумуляторы
- Przejdź do podkategorii
-
Автоматика
- Подъемники Spiralift
- Запчасти для дронов Futaba
- Концевые выключатели, Микровыключатели
- Датчики Преобразователи
- Пирометры
- Счетчики, Реле времени, Панельные измерительные приборы
- Промышленные защитные устройства
- Световые и звуковые сигнальные установки
- Термокамеры, Тепловизоры
- LED-экраны
- Управляющая аппаратура
- Przejdź do podkategorii
-
Провода, литцендрат, гофрированные рукава, гибкие соединения
- Провода
- Кабельные вводы и муфты
- Многожильные провода (Lica)
-
Кабели и провода для специальных применений
- Удлинительные и компенсационные провода
- Провода для термопар
- Присоединительные провода для датчиков PT
- Многожильные провода темп. от -60C до +1400C
- Провода среднего напряжения
- Провода зажигания
- Нагревательные провода
- Одножильные провода темп. от -60C до +450C
- Железнодородные провода
- Нагревательные провода в Ex
- Przejdź do podkategorii
- Оболочки
-
Плетеные кабели
- Плоские плетеные кабели
- Круглые плетеные кабели
- Очень гибкие плетеные кабели - плоские
- Очень гибкие плетеные кабели - круглые
- Медные цилиндрические плетеные кабели
- Медные цилиндрические плетеные кабели и кожуха
- Гибкие заземляющие ленты
- Цилиндрические плетеные провода из луженой и нержавеющей стали
- Медные изолированные плетеные провода PCV - температура до 85 градусов C
- Плоские алюминиевые плетеные провода
- Соединительный набор - плетеные провода и трубки
- Przejdź do podkategorii
- Аксессуары для тяги
- Кабельные наконечники
- Изолированные эластичные шины
- Многослойные гибкие шины
- Системы прокладки кабеля (PESZLE)
- Przejdź do podkategorii
- Zobacz wszystkie kategorie
-
Полупроводниковые приборы
-
-
Полупроводники
Категории
Информация
Товаров, помеченных как «Под заказ» в столбце «Доступное количество», обычно нет в наличии. Такие продукты доступны для покупки, однако из-за их ограниченной клиентской базы они обычно имеют более высокие минимальные количества. DACPOL предлагает продукты, которых нет на складе по следующим причинам: DACPOL в настоящее время имеет большое количество электронных компонентов на складе и ежедневно добавляет новые продукты, однако десятки тысяч дополнительных компонентов и их различных вариантов доступны у наших поставщиков. Несмотря на то, что иметь все эти продукты на складе неразумно из-за ограниченных продаж, мы считаем, что сделать их доступными в интересах наших клиентов. Наша цель - проинформировать клиентов о максимальном количестве доступных продуктов и дать им возможность принимать решения на основе характеристик, цен, наличия, необходимых минимумов и наших технических рекомендаций. Обратите внимание, что установка флажка «В наличии» может ограничить отображение только продуктов, доступных для доставки прямо с полки.
| Изображение | Посмотреть продукт | Номер производителя | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682 | Под заказ | TO-247-4 | -- | -- | 155 A | -- | 110 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55811 | Под заказ | TO-247-4 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812 | Под заказ | TO-247-3 | -- | -- | 42 A | -- | 30 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55813 | Под заказ | TO-263-7 | -- | -- | 46 A | -- | 32 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 60 mΩ | -- | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55814 | Под заказ | TO-247-4 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55815 | Под заказ | TO-247-3 | -- | -- | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55816 | Под заказ | TO-263-7 | -- | -- | 57 A | -- | 42 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 45 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55817 | Под заказ | TO-247-4 | -- | -- | 70 A | -- | 50 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818 | Под заказ | TO-263-7 | -- | -- | -- | 55 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 33 mΩ | - | 650 V | |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Diody firmy GeneSiC | ПОСМОТРЕТЬ | Diody firmy GeneSiC 34305 | Под заказ | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFET транзистор G3R12MT12K | ПОСМОТРЕТЬ | G3R12MT12K | Под заказ | -- | -- | TO-247-4 | 155 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 12 mΩ | 1200 V | ||
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFET транзистор G3R60MT07K | ПОСМОТРЕТЬ | G3R60MT07K | Под заказ | -- | -- | TO-247-4 | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V | |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7020 Tranzystor | ПОСМОТРЕТЬ | EPC7020 Tranzystor 53882 | Под заказ | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 11 | -- | 200 | 6 | 11-Jul | 3-May | 2-Feb | 76 | 39 | 170 | BGA 4.6 x 2.6 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7007 Tranzystor | ПОСМОТРЕТЬ | EPC7007 Tranzystor 53879 | Под заказ | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 25 | -- | 200 | 6 | 5-Apr | 1-May | 1 | 37 | 20 | 80 | LGA 3.6 x 1.6 | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55824 | Под заказ | TO-263-7 | -- | -- | 68 A | -- | 48 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | 40 mΩ | - | 1200 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | GD10MPS12A Dioda SiC | ПОСМОТРЕТЬ | GD10MPS12A Dioda SiC 36236 | Под заказ | -- | TO-220-2 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7019 Tranzystor | ПОСМОТРЕТЬ | EPC7019 Tranzystor 53808 | Под заказ | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 1-May | -- | 40 | 6 | 23 | 7-Jun | 3-Apr | 51 | 95 | 530 | LGA 6.05 x 2.3 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7014 Tranzystor | ПОСМОТРЕТЬ | EPC7014 Tranzystor 53811 | Под заказ | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 340 | -- | 60 | 7 | 0.142 | 0.043 | 0.025 | 0.764 | 2-Apr | 4 | BGA 0.9 x 0.9 | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET 36229 | Под заказ | TO-247-4 | -- | -- | 48 A | -- | 34 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET | ПОСМОТРЕТЬ | G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET 36227 | Под заказ | TO-263-7 | -- | -- | 44 A | -- | 31 A | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | -- | - | 60 mΩ | 750 V |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7003 Tranzystor | ПОСМОТРЕТЬ | EPC7003 Tranzystor 53846 | Под заказ | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 30 | -- | 100 | 6 | 1-Aug | 0.6 | 0.3 | 9-Apr | 10 | 42 | LGA 1.7 x 1.1 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23104 Tranzystor | ПОСМОТРЕТЬ | EPC23104 Tranzystor 53851 | Под заказ | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 11 | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 15, 16.6 | 15 | 78 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC23103 Tranzystor | ПОСМОТРЕТЬ | EPC23103 Tranzystor 53853 | Под заказ | -- | -- | -- | -- | Half Bridge ePower Stage | -- | -- | 7-Jun | -- | 100 | 6 | -- | -- | -- | 21, 22.95 | 25 | 109 | QFN 3.5 x 5 | -- | -- | -- |
| -- |
|
EPC (Efficient Power Conversion) | EPC7004 Tranzystor | ПОСМОТРЕТЬ | EPC7004 Tranzystor 53858 | Под заказ | -- | -- | -- | -- | Single Rad Hard | -- | -- | 7 | -- | 100 | 6 | 6-Apr | 2-Feb | 1-Jan | 37 | 60 | 160 | LGA 4.1 x 1.6 | -- | -- | -- |
Результатов на странице:
Наше предложение
В нашем предложении вы найдете SiC диоды и SiC и GaN транзисторы.
Преимущество над кремнием
По сравнению с кремнием, который имеет ширину запрещенной зоны 1,12 эВ, наши полупроводники SiC и GaN характеризуются значительно большими запрещенными зонами, составляющими соответственно 3,26 эВ и 3,39 эВ.
Благодаря этому, как SiC, так и GaN могут работать с более высокими напряжениями и частотами, что делает их идеальными для передовых технологических применений.
Технология SiC и GaN
SiC и GaN обладают уникальными свойствами, которые влияют на их работу и разнообразные применения. Выбор подходящего материала зависит от специфических требований проектов и приложений.