G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET
G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET

Zdjęcia mają charakter wyłacznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

please use latin characters

G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET

  • G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682
  • Тип корпуса TO-247-4
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 155 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 110 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 10 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 12 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontakuj się z nami
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

  • Тип корпуса TO-247-4
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 155 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 110 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 10 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 12 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V
Comments (0)