SiC MOSFET-транзистори

GeneSiC's SiC MOSFET transistors offer excellent conductivity and switching performance compared to silicon (Si) due to their "wide bandgap" characteristics and high electric field strength.

GeneSiC's patented

GeneSiC's SiC MOSFET transistors offer excellent conductivity and switching performance compared to silicon...

Czytaj więcej
Pokaż filtry
Schowaj filtryFiltrowaniePokaż filtry X
Manufacturers
more... less
Тип корпуса
more... less
Тип житла
more... less
Тривалий струм ID при Tc=25oC
more... less
Тривалий струм ID при Tc=100oC
more... less
Тривалий струм IC при Tc=100oC
more... less
RDS(ON) для VGS = 18 В
more... less
RDS(ON) для VGS = 15 В
more... less
Напруга UDS
more... less
Filter
Pobierz Listę Produktów
Information close
Продуктів, позначених як "На замовлення" у стовпці "Доступна кількість", як правило, немає на складі. Такі товари можна придбати, однак через обмежену базу споживачів вони, як правило, мають вищі мінімальні кількості. DACPOL пропонує товари, яких немає на складі з наступних причин: DACPOL в даний час має на складі велику кількість електронних компонентів і додає нові продукти щодня, але наші постачальники мають десятки тисяч додаткових компонентів та їх різноманітних варіантів. Незважаючи на те, що нерозумно мати всі ці товари на складі через обмежені продажі, ми вважаємо, що в інтересах наших клієнтів є їх надання. Наша мета - поінформувати клієнтів про максимальну кількість доступних продуктів та дати їм можливість прийняти рішення на основі специфікацій, цін, наявності, необхідних мінімумів та наших технічних консультацій. Зверніть увагу, що встановивши прапорець "На складі", дисплей може обмежуватися лише товарами, доступними для доставки безпосередньо з полиці.
PDF Obraz
Producent
descasc
Nazwa produktu
descasc
 Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
descasc
Тип корпуса
descasc
Тип житла
descasc
Тривалий струм ID при Tc=25oC
descasc
Тривалий струм ID при Tc=100oC
descasc
Тривалий струм IC при Tc=100oC
descasc
RDS(ON) для VGS = 18 В
descasc
RDS(ON) для VGS = 15 В
descasc
Напруга UDS
descasc
-- G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET 55823 На замовлення TO-247-4 -- 61 A 43 A -- 40 mΩ - 1200 V
-- G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682 На замовлення TO-247-4 -- 155 A 110 A -- 10 mΩ 12 mΩ 1200 V
-- G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET 36229 На замовлення TO-247-4 -- 48 A 34 A -- - 60 mΩ 750 V
-- G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET 36227 На замовлення TO-263-7 -- 44 A 31 A -- - 60 mΩ 750 V
-- G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55824 На замовлення TO-263-7 -- 68 A 48 A -- 40 mΩ - 1200 V
-- G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55815 На замовлення TO-247-3 -- 52 A 37 A -- 45 mΩ - 650 V
picture_as_pdf SiC MOSFET транзистор G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET транзистор G3R12MT12K ZOBACZ G3R12MT12K На замовлення -- TO-247-4 155 A -- 110 A 10 mΩ 12 mΩ 1200 V
picture_as_pdf SiC MOSFET транзистор G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET транзистор G3R60MT07K ZOBACZ G3R60MT07K На замовлення -- TO-247-4 48 A -- 34 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf SiC MOSFET транзистор G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET транзистор G3R60MT07J ZOBACZ G3R60MT07J На замовлення -- TO-263-7 44 A -- 31 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf SiC MOSFET транзистор G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET транзистор G3R20MT12K ZOBACZ G3R20MT12K На замовлення -- TO-247-4 100 A -- 71 A 17 mΩ 20 mΩ 1200 V
-- G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55811 На замовлення TO-247-4 -- 42 A 30 A -- 60 mΩ -- 650 V
-- G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812 На замовлення TO-247-3 -- 42 A 30 A -- 60 mΩ -- 650 V
-- G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55822 На замовлення TO-263-7 -- 39 A 28 A -- 75 mΩ - 1200 V
-- G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET 55821 На замовлення TO-247-4 -- 35 A 25 A -- 75 mΩ - 1200 V
-- G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55820 На замовлення TO-247-4 -- 100 A 70 A -- 25 mΩ - 650 V
-- G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55819 На замовлення TO-263-7 -- 90 A 64 A -- 25 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818 На замовлення TO-263-7 -- 78 A 55 A -- 33 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55817 На замовлення TO-247-4 -- 70 A 50 A -- 33 mΩ - 650 V
-- G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55816 На замовлення TO-263-7 -- 57 A 42 A -- 45 mΩ - 650 V
-- G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55814 На замовлення TO-247-4 -- 52 A 37 A -- 45 mΩ - 650 V
-- G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET ZOBACZ G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55813 На замовлення TO-263-7 -- 46 A 32 A -- 60 mΩ -- 650 V
picture_as_pdf SiC MOSFET транзистор G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET транзистор G3R160MT17J ZOBACZ G3R160MT17J На замовлення -- TO-263-7 18 A -- 13 A - 160 mΩ 1700 V
picture_as_pdf SiC MOSFET транзистор G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET транзистор G3R450MT17D ZOBACZ G3R450MT17D На замовлення -- TO-247-3 7 A -- 5 A - 450 mΩ 1700 V
picture_as_pdf SiC MOSFET транзистор G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET транзистор G3R20MT17N ZOBACZ G3R20MT17N На замовлення -- SOT-227 84 A -- 60 A - 20 mΩ 1700 V
Wyników na stronę:
Back to top

GeneSiC's SiC MOSFET transistors offer excellent conductivity and switching performance compared to silicon (Si) due to their "wide bandgap" characteristics and high electric field strength.

GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology provides the lowest RDS(ON) at high temperatures and the lowest energy losses at high speeds. This enables an unprecedented, industry-leading level of performance, robustness, and quality.

We invite you to explore the widest range of SiC MOSFET transistors from 650 V to 6.5 kV.