SiC MOSFET tranzistoriai

GeneSiC's SiC MOSFET transistors offer excellent conductivity and switching performance compared to silicon (Si) due to their "wide bandgap" characteristics and high electric field strength.

GeneSiC's patented

GeneSiC's SiC MOSFET transistors offer excellent conductivity and switching performance compared to silicon...

Skaityk daugiau
Parodyk filtrus
Paslėpk filtrusFiltravimasParodyk filtrus X
Manufacturers
more... less
Korpuso tipas
more... less
Būsto tipas
more... less
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
more... less
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
more... less
Pastovi srovė IC kai Tc=100oC
more... less
RDS(ON) kai VGS = 18 V
more... less
RDS(ON) kai VGS = 15 V
more... less
UDS įtampa
more... less
Filter
Parsisiųsk Produktų sąrašą
Informacija close
Produktų, kurie stulpelyje „Galimas kiekis“ pažymėti „Pagal užsakymą“, paprastai nėra sandėlyje. Tokių produktų galima įsigyti, tačiau dėl ribotos klientų bazės jie paprastai turi didesnius minimalius kiekius. DACPOL siūlo produktus, kurių nėra sandėlyje dėl šių priežasčių: Šiuo metu DACPOL turi daug elektroninių komponentų ir kiekvieną dieną pridedama naujų produktų, tačiau mūsų tiekėjai gali įsigyti dešimtis tūkstančių papildomų komponentų ir įvairių jų variantų. Nors yra neprotinga turėti visus šiuos produktus sandėlyje dėl riboto pardavimo, manome, kad jų klientams yra naudingiausia juos pateikti. Mūsų tikslas yra informuoti klientus apie maksimalų turimų produktų skaičių ir suteikti jiems galimybę priimti sprendimus, atsižvelgiant į specifikacijas, kainas, prieinamumą, reikalingus minimalius parametrus ir mūsų technines konsultacijas. Atkreipkite dėmesį, kad pažymėjus žymimąjį laukelį „Sandėlyje“ gali būti rodomi tik tie produktai, kuriuos galima pristatyti tiesiai iš lentynos.
PDF Paveikslėlis
Gamintojas
descasc
Produkto pavadinimas
descasc
 Peržiūrėti produkt Gamintojo nr.
Galimas kiekis
descasc
Korpuso tipas
descasc
Būsto tipas
descasc
Pastovi srovė ID kai Tc=25oC
descasc
Pastovi srovė IDkai Tc=100oC
descasc
Pastovi srovė IC kai Tc=100oC
descasc
RDS(ON) kai VGS = 18 V
descasc
RDS(ON) kai VGS = 15 V
descasc
UDS įtampa
descasc
-- G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F40MT12K Tranzystor SiC MOSFET 55823 Galimas kiekis TO-247-4 -- 61 A 43 A -- 40 mΩ - 1200 V
-- G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3R12MT12K Tranzystor SiC MOSFET 48682 Galimas kiekis TO-247-4 -- 155 A 110 A -- 10 mΩ 12 mΩ 1200 V
-- G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3R60MT07K Tranzystor SiC MOSFET 36229 Galimas kiekis TO-247-4 -- 48 A 34 A -- - 60 mΩ 750 V
-- G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3R60MT07J Tranzystor SiC MOSFET 36227 Galimas kiekis TO-263-7 -- 44 A 31 A -- - 60 mΩ 750 V
-- G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F40MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55824 Galimas kiekis TO-263-7 -- 68 A 48 A -- 40 mΩ - 1200 V
-- G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F45MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55815 Galimas kiekis TO-247-3 -- 52 A 37 A -- 45 mΩ - 650 V
picture_as_pdf SiC MOSFET tranzistorius G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET tranzistorius G3R12MT12K PAMATYKITE G3R12MT12K Galimas kiekis -- TO-247-4 155 A -- 110 A 10 mΩ 12 mΩ 1200 V
picture_as_pdf SiC MOSFET tranzistorius G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET tranzistorius G3R60MT07K PAMATYKITE G3R60MT07K Galimas kiekis -- TO-247-4 48 A -- 34 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf SiC MOSFET tranzistorius G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET tranzistorius G3R60MT07J PAMATYKITE G3R60MT07J Galimas kiekis -- TO-263-7 44 A -- 31 A - 60 mΩ 750 V
picture_as_pdf SiC MOSFET tranzistorius G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET tranzistorius G3R20MT12K PAMATYKITE G3R20MT12K Galimas kiekis -- TO-247-4 100 A -- 71 A 17 mΩ 20 mΩ 1200 V
-- G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F60MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55811 Galimas kiekis TO-247-4 -- 42 A 30 A -- 60 mΩ -- 650 V
-- G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F60MT06D Tranzystor SiC MOSFET 55812 Galimas kiekis TO-247-3 -- 42 A 30 A -- 60 mΩ -- 650 V
-- G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F75MT12J Tranzystor SiC MOSFET 55822 Galimas kiekis TO-263-7 -- 39 A 28 A -- 75 mΩ - 1200 V
-- G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F75MT12K Tranzystor SiC MOSFET 55821 Galimas kiekis TO-247-4 -- 35 A 25 A -- 75 mΩ - 1200 V
-- G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F25MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55820 Galimas kiekis TO-247-4 -- 100 A 70 A -- 25 mΩ - 650 V
-- G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F25MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55819 Galimas kiekis TO-263-7 -- 90 A 64 A -- 25 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F33MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55818 Galimas kiekis TO-263-7 -- 78 A 55 A -- 33 mΩ - 650 V
-- G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F33MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55817 Galimas kiekis TO-247-4 -- 70 A 50 A -- 33 mΩ - 650 V
-- G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F45MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55816 Galimas kiekis TO-263-7 -- 57 A 42 A -- 45 mΩ - 650 V
-- G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F45MT06K Tranzystor SiC MOSFET 55814 Galimas kiekis TO-247-4 -- 52 A 37 A -- 45 mΩ - 650 V
-- G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET GeneSiC Semiconductor G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET PAMATYKITE G3F60MT06J Tranzystor SiC MOSFET 55813 Galimas kiekis TO-263-7 -- 46 A 32 A -- 60 mΩ -- 650 V
picture_as_pdf SiC MOSFET tranzistorius G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET tranzistorius G3R160MT17J PAMATYKITE G3R160MT17J Galimas kiekis -- TO-263-7 18 A -- 13 A - 160 mΩ 1700 V
picture_as_pdf SiC MOSFET tranzistorius G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET tranzistorius G3R450MT17D PAMATYKITE G3R450MT17D Galimas kiekis -- TO-247-3 7 A -- 5 A - 450 mΩ 1700 V
picture_as_pdf SiC MOSFET tranzistorius G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor SiC MOSFET tranzistorius G3R20MT17N PAMATYKITE G3R20MT17N Galimas kiekis -- SOT-227 84 A -- 60 A - 20 mΩ 1700 V
Rezultatai puslapyje:
Atgal į viršų

GeneSiC's SiC MOSFET transistors offer excellent conductivity and switching performance compared to silicon (Si) due to their "wide bandgap" characteristics and high electric field strength.

GeneSiC's patented Trench-Assisted Planar technology provides the lowest RDS(ON) at high temperatures and the lowest energy losses at high speeds. This enables an unprecedented, industry-leading level of performance, robustness, and quality.

We invite you to explore the widest range of SiC MOSFET transistors from 650 V to 6.5 kV.