G3R350MT12J MOSFET SIC
G3R350MT12J MOSFET SIC

Zdjęcia mają charakter wyłacznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

please use latin characters

Producent: GeneSiC Semiconductor

G3R350MT12J MOSFET SIC

  • G3R350MT12J
  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 10 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 295 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 350 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V
22,87 PLN
22,87 PLN Cena brutto/szt.
18,59 PLN Cena netto/szt.
Tax included

Dostępność: Informujemy, że tego produktu nie ma w magazynie

Można złożyć zamówienie wstepne, zgłosić zainteresowanie produktem, klikając w przycisk “Zapytaj o dostępność”.

Obecnie brak na stanie
Запитайте про продукт close
Дякуємо за надіслане повідомлення. Ми відповімо якомога швидше.
Запитайте про продукт close
Огляд
Надіслати запит

Add to wishlist

Musisz być zalogowany/a

  • Тип корпуса TO-263-7
  • Тривалий струм ID при Tc=25oC 10 A
  • Тривалий струм ID при Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) для VGS = 18 В 295 mΩ
  • RDS(ON) для VGS = 15 В 350 mΩ
  • Напруга UDS 1200 V

Статті

SiC-діоди Шотткі MPS™ SiC-діоди Шотткі MPS™
Опубліковано в: Новини, R&D
18-10-2024
Об'єднані PiN-діоди Шотткі (MPS) – це нова конструкція GeneSiC, яка поєднує найкращі характеристики структур PiN та...
Read more
Comments (0)