G3R350MT12J MOSFET SiC
G3R350MT12J MOSFET SiC

Fotos dienen nur zu Informationszwecken.

please use latin characters

Hersteller: GeneSiC Semiconductor

G3R350MT12J MOSFET SIC.

  • G3R350MT12J
  • Gehäusetyp TO-263-7
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 10 A
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 295 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V 350 mΩ
  • UDS Spannung 1200 V
22,87 PLN
22,87 PLN Bruttopreis / Stck.
18,59 PLN Nettopreis / Stk.
Bruttopreis

Verfügbarkeit: Bitte beachten Sie, dass dieses Produkt nicht vorrätig ist

Sie können eine Vorbestellung aufgeben und Ihr Interesse an einem Produkt melden, indem Sie auf die Schaltfläche "Nach Verfügbarkeit fragen" klicken.

Derzeit nicht vorrätig
FRAGEN SIE NACH DEM PRODUKT close
Vielen Dank für die Zusendung Ihrer Nachricht. Wir werden so schnell wie möglich antworten.
FRAGEN SIE NACH DEM PRODUKT close
Durchsuche
Senden Sie eine Anfrage

Zur Wunschliste hinzufügen

Sie müssen eingeloggt sein

  • Gehäusetyp TO-263-7
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 10 A
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 7 A
  • RDS(ON) für VGS = 18 V 295 mΩ
  • RDS(ON) für VGS = 15 V 350 mΩ
  • UDS Spannung 1200 V

In Verbindung stehende Artikel

SiC Schottky MPS™ Diodes SiC Schottky MPS™ Diodes
Veröffentlicht in: Nachrichten, R&D
18-10-2024
A novel GeneSiC Merged-PiN Schottky design combines the best features from both PiN and Schottky diode structures,...
Read more
Kommentare (0)