Транзисторы | GeneSiC

SiC MOSFET транзисторы компании GeneSiC обеспечивают превосходную проводимость и производительность переключения по сравнению с кремнием (Si) благодаря их характеристикам «широкой запрещенной зоны» и высокой напряженности электрического...

SiC MOSFET транзисторы компании GeneSiC обеспечивают превосходную проводимость и производительность...

Читать больше

Категории

Показать фильтры
Скрыть фильтрыФильтрацияПоказать фильтры X
Производители
ещё... свернуть
Тип корпуса
ещё... свернуть
ID при Tc=25oC
ещё... свернуть
Конфигурация
ещё... свернуть
ID при Tc=100oC
ещё... свернуть
RDS(ON) для VGS = 18 В
ещё... свернуть
RDS(ON) для VGS = 15 В
ещё... свернуть
Напряжение UDS
ещё... свернуть
ещё... свернуть
ещё... свернуть
ещё... свернуть
ещё... свернуть
Фильтр
Загрузить список товаров
Информация close
Товаров, помеченных как «Под заказ» в столбце «Доступное количество», обычно нет в наличии. Такие продукты доступны для покупки, однако из-за их ограниченной клиентской базы они обычно имеют более высокие минимальные количества. DACPOL предлагает продукты, которых нет на складе по следующим причинам: DACPOL в настоящее время имеет большое количество электронных компонентов на складе и ежедневно добавляет новые продукты, однако десятки тысяч дополнительных компонентов и их различных вариантов доступны у наших поставщиков. Несмотря на то, что иметь все эти продукты на складе неразумно из-за ограниченных продаж, мы считаем, что сделать их доступными в интересах наших клиентов. Наша цель - проинформировать клиентов о максимальном количестве доступных продуктов и дать им возможность принимать решения на основе характеристик, цен, наличия, необходимых минимумов и наших технических рекомендаций. Обратите внимание, что установка флажка «В наличии» может ограничить отображение только продуктов, доступных для доставки прямо с полки.
PDF Изображение
Производитель
descasc
Наименование товара
descasc
 Посмотреть продукт Номер производителя
Доступное количество
descasc
Тип корпуса
descasc
ID при Tc=25oC
descasc
Конфигурация
descasc
ID при Tc=100oC
descasc
RDS(ON) для VGS = 18 В
descasc
RDS(ON) для VGS = 15 В
descasc
Напряжение UDS
descasc
descasc
descasc
descasc
descasc
picture_as_pdf G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC ПОСМОТРЕТЬ G3F09MT12GB4 Под заказ -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F75MT12K Под заказ TO-247-4 -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F75MT12J Под заказ TO-263-7 31 A -- 22 A -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F40MT12K Под заказ TO-247-4 -- 39 A -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F40MT12J Под заказ TO-263-7 -- 42 A -- -- 1200 V -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F20MT12K Под заказ TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F20MT12J Под заказ TO-263-7 -- -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J ПОСМОТРЕТЬ G3F60MT06J Под заказ TO-263-7 44 A -- 31 A -- -- 650 V -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D ПОСМОТРЕТЬ G3F60MT06D Под заказ TO-247-3 -- -- -- -- -- 650 V -- -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K ПОСМОТРЕТЬ G3F45MT06K Под заказ TO-247-4 52 A -- 37 A -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J ПОСМОТРЕТЬ G3F45MT06J Под заказ TO-263-7 -- 39 A -- -- 650 V -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D ПОСМОТРЕТЬ G3F45MT06D Под заказ TO-247-3 -- -- -- -- -- 650 V -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K ПОСМОТРЕТЬ G3F33MT06K Под заказ TO-247-4 -- 53 A -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J ПОСМОТРЕТЬ G3F33MT06J Под заказ TO-263-7 -- -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F25MT06L ПОСМОТРЕТЬ G3F25MT06L Под заказ 125 A -- 88 A -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F33MT06L ПОСМОТРЕТЬ G3F33MT06L Под заказ 90 A -- 64 A -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор... GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F45MT06L ПОСМОТРЕТЬ G3F45MT06L Под заказ 61 A -- 43 A -- -- 650 V -- --
picture_as_pdf G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC ПОСМОТРЕТЬ G3F05MT12GB2 Под заказ -- półmostek -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC ПОСМОТРЕТЬ G3F18MT12FB4 Под заказ -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC ПОСМОТРЕТЬ G3F17MT12FB2 Под заказ -- półmostek -- -- -- -- --
picture_as_pdf G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC GeneSiC Semiconductor G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC ПОСМОТРЕТЬ G3F09MT12FB2 Под заказ -- półmostek -- -- -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F135MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F135MT12J Под заказ TO-263-7 18 A -- 13 A -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F65MT12K ПОСМОТРЕТЬ G3F65MT12K Под заказ TO-247-4 35 A -- 25 A -- -- 1200 V -- -- --
picture_as_pdf SiC Mosfet транзистор G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor SiC Mosfet транзистор G3F65MT12J ПОСМОТРЕТЬ G3F65MT12J Под заказ TO-263-7 37 A -- 26 A -- -- 1200 V -- -- --
Результатов на странице:
Вернуться вверх

SiC MOSFET транзисторы компании GeneSiC обеспечивают превосходную проводимость и производительность переключения по сравнению с кремнием (Si) благодаря их характеристикам «широкой запрещенной зоны» и высокой напряженности электрического поля.

Запатентованная технология Trench-Assisted Planar компании GeneSiC обеспечивает самый низкий коэффициент RDS(ON) при высоких температурах и самые низкие потери энергии при высоких скоростях. Это позволяет достичь беспрецедентного, лидирующего в отрасли уровня производительности, надежности и качества.

Приглашаем вас ознакомиться с самым широким ассортиментом SiC MOSFET транзисторов от 650 В до 6,5 кВ.

Похожие сообщения

Navitas представляет новейшие силовые модули SiCPAK™ – новый стандарт надёжности и производительности при высоких температурах
Navitas представляет новейшие силовые модули SiCPAK™ – новый стандарт надёжности и производительности при высоких температурах
Опубликовано в: R&D
25-04-2025
Navitas Semiconductor, лидер в области технологий GaN и SiC, представила новые силовые модули SiCPAK™ 1200В с...
Read more