Modules IGBT | Semikron

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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a...

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picture_as_pdf SK10DGDL07E3ETE1 Module IGBT SEMIKRON SK10DGDL07E3ETE1 Module IGBT VOIR SK10DGDL07E3ETE1 En commande -- -- -- Seven Pack 650 V 10:00 AM --
picture_as_pdf SKM600Gal07E3 Un seul... SEMIKRON SKM600Gal07E3 Un seul commutateur VOIR SKM600GAL07E3 En commande -- -- -- Single Switch 650 V 600 A --
picture_as_pdf SKM600GAR07E3 Commutateur... SEMIKRON SKM600GAR07E3 Commutateur unique VOIR SKM600GAR07E3 En commande -- -- -- Single Switch 650 V 600 A --
picture_as_pdf SKM5GB17E4 demi-pont SEMIKRON SKM5GB17E4 demi-pont VOIR SKM500GB17E4 En commande -- -- -- Half Bridge 1700 V 500 A --
picture_as_pdf Modules IPM - SKEPIP2 / 3 SEMIKRON Modules IPM - SKEPIP2 / 3 VOIR -- En commande -- -- -- -- -- -- --
picture_as_pdf SK25TMLID12F4TE2 3-Niveau SEMIKRON SK25TMLID12F4TE2 3-Niveau VOIR SK25TMLID12F4TE2 En commande -- -- -- 3-level 1200 V 25 A --
picture_as_pdf SKIP39MLIT12F4V1 Client... SEMIKRON SKIP39MLIT12F4V1 Client spécifique VOIR SKiiP39MLIT12F4V1 En commande -- -- -- Customer Specific 1200 V 400 A --
picture_as_pdf SEMIX303GB12M7P Module IGBT SEMIKRON SEMIX303GB12M7P Module IGBT VOIR SEMiX303GB12M7p En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 300 A --
picture_as_pdf SEMIX305TMLI12E4B 3-Niveau SEMIKRON SEMIX305TMLI12E4B 3-Niveau VOIR SEMiX305TMLI12E4B En commande -- -- -- 3-level 1200 V 300 A --
picture_as_pdf SEMIX305MLI12E4V2 3-Niveau SEMIKRON SEMIX305MLI12E4V2 3-Niveau VOIR SEMiX305MLI12E4V2 En commande -- -- -- 3-level 1200 V 300 A --
picture_as_pdf SEMIX303GB12E4S Module IGBT SEMIKRON SEMIX303GB12E4S Module IGBT VOIR SEMiX303GB12E4s En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 300 A --
picture_as_pdf SKIM200GD126D Module IGBT SEMIKRON SKIM200GD126D Module IGBT VOIR SKiM200GD126D En commande -- -- -- Six Pack 1200 V 200 A --
picture_as_pdf SEMIX302GB12E4S Module IGBT SEMIKRON SEMIX302GB12E4S Module IGBT VOIR SEMiX302GB12E4s En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 300 A --
picture_as_pdf SKEPIP 39TMLI12T4V2 3-Niveau SEMIKRON SKEPIP 39TMLI12T4V2 3-Niveau VOIR SKiiP39TMLI12T4V2 En commande -- -- -- 3-level 1200 V 200 A --
picture_as_pdf SEMIX303GB12E4P Module IGBT SEMIKRON SEMIX303GB12E4P Module IGBT VOIR SEMiX303GB12E4p En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 300 A --
picture_as_pdf SEMIX303GB12VS Module IGBT SEMIKRON SEMIX303GB12VS Module IGBT VOIR SEMiX303GB12Vs En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 300 A --
picture_as_pdf SEMIX302GB12VS Module IGBT SEMIKRON SEMIX302GB12VS Module IGBT VOIR SEMiX302GB12Vs En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 300 A --
picture_as_pdf SEMIX303GB12E4I50P Module IGBT SEMIKRON SEMIX303GB12E4I50P Module IGBT VOIR SEMiX303GB12E4I50p En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 300 A --
picture_as_pdf SEMIX303GD12E4C Module IGBT SEMIKRON SEMIX303GD12E4C Module IGBT VOIR SEMiX303GD12E4c En commande -- -- -- Six Pack 1200 V 300 A --
picture_as_pdf SEMIX302G20E4S SINGLE SWITCH SEMIKRON SEMIX302G20E4S SINGLE SWITCH VOIR SEMiX302GAR12E4s En commande -- -- -- Single Switch 1200 V 300 A --
picture_as_pdf Module SKM200GB12T4 IGBT SEMIKRON Module SKM200GB12T4 IGBT VOIR SKM200GB12T4 En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 200 A --
picture_as_pdf Module IGBT SKM200GB12V SEMIKRON Module IGBT SKM200GB12V VOIR SKM200GB12V En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 200 A --
picture_as_pdf SKM300GB125D demi-pont SEMIKRON SKM300GB125D demi-pont VOIR SKM300GB125D En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 200 A --
picture_as_pdf SKM300GB126D demi-pont SEMIKRON SKM300GB126D demi-pont VOIR SKM300GB126D En commande -- -- -- Half Bridge 1200 V 200 A --

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Field-effect transistors - we’re offering two types of field-effect transistors: MOS-FET and IGBT transistors.

IGBT transistors
IGBT transistors are characterized by a small decrease in conduction voltage (from 2.15 - 5.2V) at high current (10 - 3600A), high voltage blocking capacity (250 - 6500V), voltage control via an isolated gate, and high switching speed. They are produced in the form of standard modules, high-frequency modules, high voltage modules as well as intelligent modules, and high voltage intelligent modules. In addition, high-voltage diode modules are offered for cooperation with IGBT transistors.

The IGBT transistors manufactured in the form of intelligent modules contain, besides transistors, control systems as well as short circuit and overvoltage protection.