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Fabricant: Naina Semiconductor

Diode à retour rapide 40NSFR

  • 40NSFR
  • IFAV 40
  • IFSM 520
  • Logement DO-5
  • VRRM (V) 100-1600
  • 1
    1,6
    350

Les diodes à recouvrement rapide sont fabriquées à partir de circuits passivés au verre et assemblées dans des boîtiers hermétiques, robustes et hautement fiables. Elles sont mécaniquement robustes et stables dans des conditions environnementales défavorables.

Caractéristiques

  • Temps de recouvrement inverse très faible
  • Pertes de commutation très faibles
  • Classification possible comme diodes à recouvrement ultra-rapide en fonction du temps de recouvrement

Applications

  • Conversion CC-CA (onduleurs)
  • Systèmes de correction du facteur de puissance (PFC)
  • Secteur automobile
  • Tous types d'alimentations à découpage
  • Autres appareils industriels

Paramètres

Paramètre Valeur
Plage de courant 12 A – 150 A
Tension max. Jusqu'à 1800 V
Boîtiers Embase à goujon
Filetages Métrique et UNF


Dimensions de boîtier et de filetage modifiables

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  • 1
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Les diodes à recouvrement rapide sont fabriquées à partir de circuits passivés au verre et assemblées dans des boîtiers hermétiques, robustes et hautement fiables. Elles sont mécaniquement robustes et stables dans des conditions environnementales défavorables.

Caractéristiques

  • Temps de recouvrement inverse très faible
  • Pertes de commutation très faibles
  • Classification possible comme diodes à recouvrement ultra-rapide en fonction du temps de recouvrement

Applications

  • Conversion CC-CA (onduleurs)
  • Systèmes de correction du facteur de puissance (PFC)
  • Secteur automobile
  • Tous types d'alimentations à découpage
  • Autres appareils industriels

Paramètres

Paramètre Valeur
Plage de courant 12 A – 150 A
Tension max. Jusqu'à 1800 V
Boîtiers Embase à goujon
Filetages Métrique et UNF


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