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Fabricante: Naina Semiconductor

Diodo de retorno rápido 16NSFR

  • 16NSFR
  • IFAV 16
  • IFSM 210
  • Alojamiento DO-4
  • VRRM (V) 100-1600
  • 1,4
    1,6
    350
Los diodos de recuperación rápida se fabrican a partir de circuitos pasivados con vidrio y se ensamblan en carcasas herméticamente selladas, robustas y altamente fiables. Son mecánicamente robustos y estables en condiciones ambientales adversas.

Características

  • Tiempo de recuperación inversa muy bajo
  • Pérdidas de conmutación muy bajas
  • Se pueden clasificar como diodos de recuperación ultrarrápida según su tiempo de recuperación

Aplicaciones

  • Conversión CC-CA (inversores)
  • Sistemas de corrección del factor de potencia (PFC)
  • Sector de la automoción
  • Todo tipo de fuentes de alimentación conmutadas
  • Otros dispositivos industriales

Parámetros

Parámetro Valor
Rango de corriente 12 A – 150 A
Voltaje máx. Hasta 1800 V
Carcasas Base de espárrago
Roscas Métricas y UNF


Dimensiones de carcasa y rosca intercambiables

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  • IFAV 16
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  • Alojamiento DO-4
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  • 1,4
    1,6
    350
Los diodos de recuperación rápida se fabrican a partir de circuitos pasivados con vidrio y se ensamblan en carcasas herméticamente selladas, robustas y altamente fiables. Son mecánicamente robustos y estables en condiciones ambientales adversas.

Características

  • Tiempo de recuperación inversa muy bajo
  • Pérdidas de conmutación muy bajas
  • Se pueden clasificar como diodos de recuperación ultrarrápida según su tiempo de recuperación

Aplicaciones

  • Conversión CC-CA (inversores)
  • Sistemas de corrección del factor de potencia (PFC)
  • Sector de la automoción
  • Todo tipo de fuentes de alimentación conmutadas
  • Otros dispositivos industriales

Parámetros

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Rango de corriente 12 A – 150 A
Voltaje máx. Hasta 1800 V
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Roscas Métricas y UNF


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