Les diodes Schottky MPS SiC 650 V de 5e génération offrent un rendement de très haute qualité

GeneSiC Semiconductor, l'un des principaux fournisseurs mondiaux de semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC), annonce la sortie de sa 5e génération (série GE***) de redresseurs Schottky MPS™ SiC. Cette nouvelle référence se distingue par un rapport prix/performances amélioré, une résistance accrue aux surcharges et aux effets d'avalanche, ainsi qu'une qualité de fabrication irréprochable.GeneSiC a été parmi les premiers fabricants à commercialiser des redresseurs Schottky SiC en 2011. Forts de plus d'une décennie d'expérience dans la production de redresseurs SiC haute performance et de haute qualité, nous sommes fiers de présenter les redresseurs Schottky MPS. Ces derniers offrent des performances exceptionnelles à tous les niveaux, répondant ainsi aux exigences de rendement et de densité énergétique élevés pour des applications telles que les alimentations pour télécommunications et les chargeurs de batteries. La faible tension directe des diodes Schottky MPS™ de 5e génération (série GE***) constitue une caractéristique révolutionnaire. Elle permet de réduire les pertes par conduction quelles que soient les conditions de charge, un facteur essentiel pour un rendement élevé. Contrairement aux autres diodes à faible tension directe, nos diodes de 5e génération présentent une résistance élevée aux avalanches (UIL), une caractéristique également présente dans les diodes Schottky MPSTM SiC de 3e (série GC***) et de 4e génération (série GD***) », déclare le Dr Siddarth Sundaresan, vice-président Technologie chez GeneSiC Semiconductor.

Caractéristiques :

• Faible tension directe – faibles pertes par conduction quelles que soient les conditions de fonctionnement
• Meilleur rapport QC x VF
• Excellent rapport qualité/prix
• Immunité accrue aux surtensions
• Validation par tests d’avalanche
• Faible résistance thermique à basse température
• Temps de commutation nul
• Vitesse de commutation élevée quelle que soit la température
• Coefficient de température positif pour VF

Applications :

• Systèmes de correction du facteur de puissance (PFC)
• Alimentations pour télécommunications
• Onduleurs photovoltaïques
• Onduleurs sans interruption (UPS)
• Chargeurs de batterie
• Diodes de roue libre et diodes antiparallèles

GE04MPS06E – 650 V 4 A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650 V 6 A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650 V 8 A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650 V 10 A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650 V 4 A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650 V 6 A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650 V 8 A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650 V 10 A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650 V 12 A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650 V 2 x 8 A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650 V 2 x 10 A TO-247-3 SiC Schottky MPS™