Los diodos Schottky MPS de SiC de 650 V de quinta generación ofrecen la más alta eficiencia

GeneSiC Semiconductor, uno de los principales proveedores mundiales de dispositivos semiconductores de carburo de silicio (SiC), anuncia que el lanzamiento de sus rectificadores Schottky MPSTM de SiC de quinta generación (serie GE***) establecerá un nuevo estándar con una mejor relación precio-rendimiento, resistencia a corrientes de sobrecarga y efectos de avalancha, y mano de obra de alta calidad.GeneSiC fue uno de los primeros fabricantes en distribuir comercialmente rectificadores Schottky SiC en 2011. Tras más de una década produciendo rectificadores de SiC de alto rendimiento y alta calidad, nos enorgullece presentar los rectificadores Schottky MPS, que ofrecen un rendimiento líder en todos los aspectos para satisfacer los requisitos de alta eficiencia y densidad energética en aplicaciones como fuentes de alimentación para telecomunicaciones y cargadores de baterías. Una característica innovadora de nuestros diodos Schottky MPSTM de quinta generación (serie GE***) es su baja tensión directa, que permite reducir las pérdidas de conducción en todas las condiciones de carga, lo cual es crucial para lograr una alta eficiencia. A diferencia de otros diodos de baja tensión directa, nuestros diodos de quinta generación presentan una alta resistencia a avalanchas (UIL), una característica que también se encuentra en los diodos SiC Schottky MPSTM de tercera (serie GC***) y cuarta generación (serie GD***), afirma el Dr. Siddarth Sundaresan, vicepresidente de tecnología de GeneSiC Semiconductor.

Características:

• Baja tensión directa: bajas pérdidas de conducción independientemente de las condiciones de funcionamiento
• Excelente relación QC x VF
• Excelente relación precio/rendimiento
• Mayor inmunidad a sobretensiones
• Validado mediante pruebas de avalancha
• Baja resistencia térmica al operar a bajas temperaturas
• Tiempo de conmutación cero
• Alta velocidad de conmutación independientemente de la temperatura
• Coeficiente de temperatura positivo para VF

Aplicaciones:

• Sistemas de corrección del factor de potencia (PFC)
• Fuentes de alimentación para telecomunicaciones
• Inversores fotovoltaicos
• Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)
• Cargadores de baterías
• Diodos flyback y diodos antiparalelos

GE04MPS06E – 650 V 4 A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650 V 6 A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650 V 8 A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650 V 10 A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650 V 4 A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650 V 6 A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650 V 8 A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650 V 10 A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – MPS™ Schottky de SiC TO-220-2, 650 V, 12 A

GE2X8MPS06D – MPS™ Schottky de SiC TO-247-3, 650 V, 2 x 8 A

GE2X10MPS06D – MPS™ Schottky de SiC TO-247-3, 650 V, 2 x 10 A