Technologie GeneSiC – transistors, modules, puces

GeneSiC propose des MOSFET en carbure de silicium (SiC) et des diodes Schottky MPS™ pour des applications de 20 W à 20 MW et des tensions de fonctionnement de 650 V à 6,5 kV. Ils permettent une conversion de puissance rapide et à haut rendement dans divers marchés, notamment les véhicules électriques, l'automatisation industrielle, le solaire, l'éolien, les réseaux électriques, les variateurs de vitesse et la défense. Ils offrent des performances et une fiabilité élevées, et sont disponibles immédiatement.Technologie planaire à tranchées : une technologie sans compromis.Grâce à leur large bande interdite et à leur champ électrique élevé, les MOSFET en SiC offrent une conductivité et des performances de commutation supérieures à celles du silicium (Si). Cependant, les conceptions traditionnelles utilisant des technologies planaires ou à tranchées classiques impliquent des compromis en termes de fabricabilité, de performances et/ou de fiabilité. La conception planaire brevetée de GeneSiC, basée sur l'utilisation de tranchées, est une solution de nouvelle génération sans compromis qui garantit une fabrication aisée, un fonctionnement rapide et à basse température, ainsi qu'une longue durée de vie et une grande fiabilité.Une conversion de puissance efficace et économique repose sur une compréhension approfondie des topologies de circuits modernes et des techniques de commutation à haute fréquence. Deux facteurs clés caractérisent le composant :• Quelle est la capacité du MOSFET à conduire le courant (mesurée par R_DS(ON)) ?• Quelle est l'efficacité de commutation du composant (mesurée par la dissipation d'énergie, E_XX) ?Il est essentiel de répondre à ces questions pour les topologies à commutation dure et douce, et ce, dans des conditions extrêmes de haute température et de haute vitesse. La combinaison d'un facteur de M (FoM) élevé à haute température et à haute fréquence est essentielle aux performances et à la fiabilité du système. La technologie planaire brevetée de GeneSiC, basée sur des tranchées, offre la résistance à l'état passant (R_DS(ON)) la plus faible à haute température et la dissipation d'énergie la plus faible à haute fréquence. Cela permet d'atteindre des niveaux de performance, de durabilité et de qualité sans précédent, à la pointe du secteur.

MOSFETs SiC haute vitesse de 3e génération

GeneSiC a lancé sa troisième génération de MOSFETs SiC haute vitesse (G3F), qui améliore les performances de commutation et l'efficacité du système :

• Compatibilité électromagnétique optimisée

• Faibles tensions de seuil (V_F) et de coupure (Q_RR

)

• Diode robuste dans la structure du transistor

• Fonctionnement plus froid

• Tests d'avalanche à 100 % (UIL)

• Résistance à l'état passant (R_DS(ON)) ultra-faible avec une augmentation de la tension de seuil température

Les applications cibles comprennent la recharge des véhicules électriques, les onduleurs solaires, les alimentations pour centres de données et équipements de télécommunications, ainsi que les systèmes de stockage d'énergie (ESS).

Boîtiers TOLL pour systèmes haute vitesse, hautes performances et haute densité de puissance

• Inductance du boîtier très faible de 2 nH

• Taille réduite et gain de surface de circuit imprimé de 30 % par rapport au D2PAK

• Profil plus bas, avec un volume réduit de 60 % par rapport au D2PAK

• Excellentes propriétés thermiques, avec une résistance thermique (R_THJC) inférieure de 9 % par rapport au D2PAK

Plage de MOSFET SiC la plus large : 650 V – 6,5 kV

Modules et puces haute puissance

Les modules et puces GeneSiC SiCPAK™ permettent de nombreuses applications, de 10 A à 10 A. Puissance de kW à MW dans le transport ferroviaire, les véhicules électriques, la recharge rapide, l'industrie, l'énergie solaire et éolienne, et le stockage d'énergie.

Les modules GeneSiC SiCPAK™ sont conçus pour offrir d'excellentes performances et une grande durabilité, tout en respectant les dimensions et l'interconnexion des broches standard de l'industrie.

• La technologie d'enrobage en résine époxy garantit une fiabilité élevée.

• Meilleure résistance aux variations de température lors des cycles de fonctionnement (refroidissement et chauffage).

• Amélioration de la tenue en puissance.

• MOSFET SiC « Gen3 Fast » avec une densité de courant (A/mm²) parmi les plus élevées du marché.

• Conception optimisée à faible inductance avec connexions à pression standard, thermistance NTC intégrée et compatibilité broche à broche.

Les technologies MOSFET et diodes GeneSiC couvrent une plage de tension de 650 V à 6 500 V et utilisent une technologie planaire assistée par tranchée pour obtenir le coefficient de température positif R_DS(ON) le plus faible, permettant ainsi des performances optimales aux températures de fonctionnement réelles. Les puces ont été optimisées pour différents types de connexion et de montage, avec diverses métallisations, notamment aluminium et or.