Tecnología GeneSiC: transistores, módulos, chips

Planar asistida por zanja: tecnología sin concesiones

Los MOSFET de SiC ofrecen una conductividad y un rendimiento de conmutación mejorados en comparación con el silicio (Si) gracias a sus características de "banda prohibida amplia" y a su alta intensidad de campo eléctrico. Sin embargo, los diseños tradicionales que utilizan tecnologías planares o asistidas por zanja tradicionales deben sacrificar la capacidad de fabricación, el rendimiento y/o la fiabilidad. El diseño planar asistido por trinchera patentado de GeneSiC es una solución de última generación sin concesiones que ofrece alta capacidad de fabricación, un funcionamiento rápido y sin refrigeración, y un funcionamiento duradero y fiable.

Una conversión de energía eficiente y rentable se basa en un conocimiento exhaustivo de las topologías de circuitos modernas y las técnicas de conmutación de alta velocidad (frecuencia). Hay dos factores clave del dispositivo:

• ¿Qué tan bien conduce la corriente el MOSFET (medida en R_DS(ON))?

• ¿Qué tan eficientemente "conmuta" el dispositivo (medida como disipación de energía, E_XX)?

Necesitamos comprender la respuesta a cada pregunta tanto en topologías de conmutación dura como de conmutación suave, y en condiciones adversas de alta temperatura y alta velocidad. En conjunto, una Figura de M (FoM) de alta temperatura y alta velocidad (frecuencia) es crucial para el rendimiento y la fiabilidad del sistema. La tecnología planar asistida por zanja patentada de GeneSiC ofrece el RDS(ON) más bajo a alta temperatura y la menor disipación de energía a alta velocidad. Esto permite niveles de rendimiento, durabilidad y calidad sin precedentes, líderes en la industria.

MOSFET de SiC de alta velocidad de tercera generación

GeneSiC ha presentado su tercera generación de MOSFET de SiC de alta velocidad (G3F), que mejora el rendimiento de conmutación y la eficiencia del sistema:

•EMI optimizada

•Bajos V_F y Q_RR

•Diodo robusto en la estructura del transistor

•Funcionamiento a menor temperatura

•Prueba de avalancha del 100 % (UIL)

•R_DS(ON) ultrabaja con temperatura ascendente

Las aplicaciones objetivo incluyen la carga de vehículos eléctricos, Inversores solares, fuentes de alimentación para centros de datos y equipos de telecomunicaciones, y sistemas de almacenamiento de energía (ESS).

Cajas TOLL para sistemas de alta velocidad, alto rendimiento y alta densidad de potencia

•Inductancia de encapsulado muy baja de 2 nH

•Pequeño Tamaño y ahorro del 30 % en área de PCB en comparación con D2PAK.

•Perfil más bajo, con un 60 % menos de volumen que D2PAK.

•Excelentes propiedades térmicas, con un R_THJC un 9 % menor en comparación con D2PAK.

El rango más amplio de MOSFET de SiC: 650 V – 6,5 kV.

Módulos y chips de alta potencia.

Los módulos y chips GeneSiC SiCPAK™ permiten amplias aplicaciones, desde 10 kW hasta MW, en transporte ferroviario, vehículos eléctricos, carga rápida, industria, energía solar y eólica, y almacenamiento de energía.

Los módulos GeneSiC SiCPAK™ están diseñados para ofrecer un excelente rendimiento y durabilidad, manteniendo las dimensiones y la interconexión de pines estándar de la industria.

•La tecnología de encapsulado con resina epoxi garantiza una alta fiabilidad

•Mayor resistencia a los cambios de temperatura durante los ciclos de trabajo: refrigeración y calefacción

•Ciclos de potencia mejorados

•MOSFET de SiC "Gen3 Fast" con una densidad de corriente líder en la industria (A/mm²)

•Diseño optimizado de baja inductancia con conexiones a presión estándar de la industria, NTC integrado y compatibilidad pin a pin

DS(ON), lo que permite el máximo rendimiento a temperaturas de funcionamiento reales. Los chips se han optimizado para diversos estilos de conexión y montaje con diferentes metalizaciones, como aluminio y oro.