Транзистори | GeneSiC

SiC MOSFET транзистори компанії GeneSiC забезпечують відмінну провідність і продуктивність перемикання в порівнянні з кремнієм (Si) завдяки їх характеристикам «широкої забороненої зони» і високій напруженості електричного поля.

...

SiC MOSFET транзистори компанії GeneSiC забезпечують відмінну провідність і продуктивність перемикання в...

Czytaj więcej
Pokaż filtry
Schowaj filtryFiltrowaniePokaż filtry X
Manufacturers
more... less
Тип корпуса
more... less
Тривалий струм ID при Tc=25oC
more... less
Конфігурація
more... less
Тривалий струм ID при Tc=100oC
more... less
RDS(ON) для VGS = 18 В
more... less
RDS(ON) для VGS = 15 В
more... less
Напруга UDS
more... less
Додаток
more... less
RDS(ON) при VGS = 18 В
more... less
RDS(ON) при VGS = 15 В
more... less
Безперервний струм ID при Tc=65°C
more... less
Напруга UDS
more... less
Filter
Information close
Продуктів, позначених як "На замовлення" у стовпці "Доступна кількість", як правило, немає на складі. Такі товари можна придбати, однак через обмежену базу споживачів вони, як правило, мають вищі мінімальні кількості. DACPOL пропонує товари, яких немає на складі з наступних причин: DACPOL в даний час має на складі велику кількість електронних компонентів і додає нові продукти щодня, але наші постачальники мають десятки тисяч додаткових компонентів та їх різноманітних варіантів. Незважаючи на те, що нерозумно мати всі ці товари на складі через обмежені продажі, ми вважаємо, що в інтересах наших клієнтів є їх надання. Наша мета - поінформувати клієнтів про максимальну кількість доступних продуктів та дати їм можливість прийняти рішення на основі специфікацій, цін, наявності, необхідних мінімумів та наших технічних консультацій. Зверніть увагу, що встановивши прапорець "На складі", дисплей може обмежуватися лише товарами, доступними для доставки безпосередньо з полиці.
PDF Obraz
Producent
Nazwa produktu
Zobacz produkt Nr producenta
Dostępna ilość
Тип корпуса
Тривалий струм ID при Tc=25oC
Конфігурація
Тривалий струм ID при Tc=100oC
RDS(ON) для VGS = 18 В
RDS(ON) для VGS = 15 В
Напруга UDS
Додаток
RDS(ON) при VGS = 18 В
RDS(ON) при VGS = 15 В
Безперервний струм ID при Tc=65°C
Напруга UDS
-- Транзистор SiC G2R325MS65-CAx GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC G2R325MS65-CAx ZOBACZ G2R325MS65-CAx На замовлення Die 15 -- -- -- -- -- Industrial 325 -- -- 6500
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12K ZOBACZ G3F34MT12K На замовлення TO-247-4 63 A -- 45 A -- -- 1200 V -- 34 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F34MT12J ZOBACZ G3F34MT12J На замовлення TO-263-7 68 A -- 48 A -- -- 1200 V -- 34 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12J ZOBACZ G3F25MT12J На замовлення TO-263-7 87 A -- 61 A -- -- 1200 V -- 25 mΩ -- -- --
-- Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F25MT12K ZOBACZ G3F25MT12K На замовлення TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- 25 mΩ -- -- --
-- Транзистор SiC Mosfet G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F18MT12K ZOBACZ G3F18MT12K На замовлення TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- 18,5 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet G3F18MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F18MT12J ZOBACZ G3F18MT12J На замовлення TO-263-7 122 A -- 86 A -- -- 1200 V -- 18,5 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F60MT06L ZOBACZ G3F60MT06L На замовлення TOLL 48 A -- 34 A -- -- 650 V -- 55 mΩ 68 mΩ -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F45MT06L ZOBACZ G3F45MT06L На замовлення TOLL 61 A -- 43 A -- -- 650 V -- 42 mΩ 55 mΩ -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F33MT06L ZOBACZ G3F33MT06L На замовлення TOLL 90 A -- 64 A -- -- 650 V -- 28,5 mΩ 38 mΩ -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet... GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F25MT06L ZOBACZ G3F25MT06L На замовлення TOLL 125 A -- 88 A -- -- 650 V -- 20,5 mΩ 29 mΩ -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K ZOBACZ G3F75MT12K На замовлення TO-247-4 30 A -- 21 A -- -- 1200 V -- 75 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J ZOBACZ G3F75MT12J На замовлення TO-263-7 31 A -- 22 A -- -- 1200 V -- 75 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K ZOBACZ G3F40MT12K На замовлення TO-247-4 55 A -- 39 A -- -- 1200 V -- 40 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J ZOBACZ G3F40MT12J На замовлення TO-263-7 59 A -- 42 A -- -- 1200 V -- 40 mΩ -- -- --
-- Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K ZOBACZ G3F20MT12K На замовлення TO-247-4 -- -- -- -- -- 1200 V -- 20 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J ZOBACZ G3F20MT12J На замовлення TO-263-7 108 A -- 76 A -- -- 1200 V -- 20 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06K ZOBACZ G3F60MT06K На замовлення TO-247-4 42 A -- 30 A -- -- 650 V -- 55 mΩ 68 mΩ -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet G3F65MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F65MT12J ZOBACZ G3F65MT12J На замовлення TO-263-7 37 A -- 26 A -- -- 1200 V -- 65 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F65MT12K ZOBACZ G3F65MT12K На замовлення TO-247-4 35 A -- 25 A -- -- 1200 V -- 65 mΩ -- -- --
picture_as_pdf Транзистор SiC Mosfet G3F135MT12J GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC Mosfet G3F135MT12J ZOBACZ G3F135MT12J На замовлення TO-263-7 18 A -- 13 A -- -- 1200 V -- 135 mΩ -- -- --
-- SiC транзистор G2R300MT65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC транзистор G2R300MT65-CAx ZOBACZ G2R300MT65-CAx На замовлення Die 16 -- -- -- -- -- Industrial 300 -- -- 6500
-- Транзистор SiC G2R50MS65-CAx GeneSiC Semiconductor Транзистор SiC G2R50MS65-CAx ZOBACZ G2R50MS65-CAx На замовлення Die -- -- -- -- -- -- Industrial 50 -- -- 6500
-- SiC транзистор G2R50MT65-CAx GeneSiC Semiconductor SiC транзистор G2R50MT65-CAx ZOBACZ G2R50MT65-CAx На замовлення Die -- -- -- -- -- -- Industrial 50 -- -- 6500
Wyników na stronę:

SiC MOSFET транзистори компанії GeneSiC забезпечують відмінну провідність і продуктивність перемикання в порівнянні з кремнієм (Si) завдяки їх характеристикам «широкої забороненої зони» і високій напруженості електричного поля.

Запатентована технологія Trench-Assisted Planar компанії GeneSiC забезпечує найнижчий коефіцієнт RDS(ON) при високих температурах і найменші втрати енергії при високих швидкостях. Це дозволяє досягти безпрецедентного, провідного у галузі рівня продуктивності, надійності та якості.

Запрошуємо ознайомитися з найширшим асортиментом SiC MOSFET транзисторів від 650 В до 6,5 кВ.