Control de interruptores de potencia MOSFET de SiC

Sin embargo, en aplicaciones de encapsulado compacto, los MOSFET de SiC requieren una protección rápida contra cortocircuitos, lo que supone un reto para los controladores que admiten amplios rangos de tensión en diversas estructuras de SiC.

Circuitos integrados SCALE-iDriver MOSFET de SiC

Los nuevos circuitos integrados SIC1182K SCALE-iDriver de Power Integrations son controladores MOSFET de SiC de un solo canal y alta eficiencia que ofrecen las corrientes de salida pico más altas. Los controladores se pueden adaptar a diversas tensiones de control, cumpliendo así los requisitos de los MOSFET de SiC disponibles actualmente.

CI de controlador SCALE-iDriver y núcleos de controlador SCALE-2 y SCALE-2+

Además de controlar dispositivos convencionales basados ​​en silicio, como IGBT y MOSFET, los núcleos de controlador SCALE-2 y SCALE-2+, así como los CI SCALE-iDriver, pueden controlar MOSFET basados ​​en SiC.

Controladores de integración de potencia disponibles:

• SIC1182K - MOSFET de SiC Controlador de Puerta

• SCALE-iDriver - CI de Controlador de Puerta

• 2SC0115T-12 - Núcleo de Controlador SCALE-2+

• 2SC0435T-17 - Núcleo de controlador SCALE-2+

• 1SC2060P-17 - Núcleo de controlador SCALE-2 con transformadores planares

• 2SC0650P-17 - Núcleo de controlador SCALE-2 con transformadores planares

• 2SC0535T-17 - Núcleo de controlador SCALE-2

• 2SC0635T-45 - Núcleo controlador SCALE-2

El SiC presenta nuevos desafíos para los controladores de transistores

Los transistores MOSFET de SiC de diversos proveedores y generaciones se caracterizan por diferentes voltajes de activación. Algunos dispositivos operan a voltajes de 15 V/-10 V, mientras que otros operan a voltajes de 19 V/-6 V. Además, algunos transistores requieren un voltaje de activación regulado, mientras que otros requieren un voltaje de desactivación negativo regulado para evitar exceder el rango de voltaje de seguridad puerta-fuente.

La estructura del controlador SCALE permite ajustar el dispositivo para controlar varios voltajes de alimentación. Para más información, haga clic en el enlace.

El SCALE-iDriver de Power Integrations se puede conectar a varios tipos de MOSFET de SiC ajustando la tensión de alimentación a VGS_gs

¿Por qué controlar MOSFET de SiC con controladores SCALE?

Ajuste de la tensión de control de puerta mediante circuitos VEE externos Buena inmunidad a cortocircuitos con un tiempo de respuesta de <= µs Altos valores de corriente de salida Alta capacidad de aislamiento Sujeción activa avanzada con bucle de retroalimentación dv/dt Alta frecuencia de conmutación: hasta 500 kHz Tensiones de ruptura de MOSFET de SiC de hasta 4,5 kV Alto MTBF/bajo FIT Conexión en paralelo de módulos MOSFET Compatible con todo tipo de MOSFET de SiC

Estructuras de protección SIC1182K completas

Bucle de sujeción activo avanzado para SiC Cortocircuito ultrarrápido Control Protección contra sobrecarga Protección contra caídas de tensión en los lados primario y secundario del controlador (UVLO)