Sterowanie tranzystorami SiC MOSFET

Wysłany dnia: 12/08/2021
Podziel się wiedzą

Kontrolowanie SiC MOSFET z pomocą pełnej gamy Sterowników tranzystorowych typu SCALE firmy Power Integrations. Tranzystory MOSFET z węglika krzemu (SiC) drastycznie zwiększają wydajność przełączeń w falownikach wysokiej mocy zapewniając wysoką odporność na przebicia i prędkość dryfu ładunku oraz zwiększoną wydajność cieplną.

Przy zastosowaniach w kompaktowych obudowach tranzystory SiC wymagają jednak szybkich zabezpieczeń przeciwzwarciowych, co stanowi wyzwanie dla sterowników obsługujących szerokie zakresy napięcia w różnych strukturach SiC. 

Schemat1

Zalety tranzystorów SiC MOSFET

Układy scalone tranzystorów SCALE-iDriver SiC MOSFET

Nowe układy scalone SIC1182K SCALE-iDriver od Power Integrations to sterowniki jednokanałowych tranzystorów SiC MOSFET o wysokiej sprawności, które gwarantują najwyższe wartości szczytowe prądów wyjściowych tranzystora. Sterowniki mogą być dostosowane do różnych wartości napięć sterujących, dzięki czemu spełniają wymagania obecnie dostępnych tranzystorów SiC MOSFET.

Układy scalone sterowników SCALE-iDriver i rdzenie sterowników SCALE-2, SCALE-2+

Oprócz sterowania konwencjonalnymi urządzeniami bazującymi na Si takimi jak IGBT czy MOSFET, rdzenie sterowników SCALE-2 i SCALE-2+, jak również i układy scalone SCALE-iDriver są w stanie sterować tranzystorami MOSFET bazującymi na SiC.

Dostępne sterowniki firmy Power Integrations:

• SIC1182K - SiC MOSEFT Gate Driver

• SCALE-iDriver - Gate Driver IC

• 2SC0115T-12 - SCALE-2+ Driver Core

• 2SC0435T-17 - SCALE-2+ Driver Core

• 1SC2060P-17 - SCALE-2 Driver Core with Planar Transformers

• 2SC0650P-17 - SCALE-2 Driver Core with Planar Transformers

• 2SC0535T-17 - SCALE-2 Driver Core

• 2SC0635T-45 - SCALE-2 Driver Core

SiC przedstawia nowe wyzwania dla sterowników tranzystorów

Tranzystory SiC MOSFET od różnych dostawców i generacji charakteryzują się różnymi napięciami sterowania tranzystora. Niektóre urządzenia pracują przy napięciach poziomu 15 V/ - 10 V, podczas gdy inne operują z napięciami 19 V/ -6 V. Ponadto pewne tranzystory wymagają regulowanego napięcia załączenia, podczas gdy inne regulowanego ujemnego napięcia wyłączenia, by zapobiec wykroczeniu poza zakres bezpiecznego napięcia bramki-źródła

Struktura sterowników SCALE pozwala na dostrojenie urządzenia w ten sposób, aby były w stanie sterować różnymi wartościami napięcia zasilania. By uzyskać dalsze informacje proszę kliknąć w link.

Schemat2

Sterownik SCALE-iDriver firmy Power Integrations może być podłączony do różnych rodzajów SiC MOSFET przez dostosowanie napięcia zasilania do napięcia VGSgs



Schemat3

Ułożenie pinów różnych sterowników SCALE z zaznaczonymi pinami VEx / VEE



Dlaczego warto sterować tranzystorami SiC MOSFET za pomocą sterowników SCALE?

  • Dostosowanie napięcia sterującego bramki za pomocą zewnętrznych obwodów VEE
  • Dobra odporność zwarciowa z czasem reakcji <= µs
  • Wysokie wartości prądu wyjściowego
  • Wysokie możliwości izolacji
  • Advanced Active Clamping z pętlą sprzężenia zwrotnego dv/dt
  • Wysoka częstotliwość przełączeń – do 500 kHz
  • Napięcia przebicia SiC MOSFET do 4,5 kV
  • Wysoka wartość MTBF/niski wskaźnik FIT
  • Łączenie równoległe modułów MOSFET
  • Kompatybilność z wszystkimi rodzajami SiC MOSFET
Schemat4
Topologia układu wykrywania zwarcia



Rozbudowane struktury ochronne SIC1182K

  • Pętla Advanced Active Clamping dla SiC
  • Ultraszybka kontrola zwarć
  • Zabezpieczenia przed przeciążeniem
  • Ochrona przed spadkami napięcia strony pierwotnej i wtórnej sterownika (UVLO)
 Schemat5
Zabezpieczenia sterownika SIC1182K

chevron_leftPoprzedni Następnychevron_right

Inne artykuły

Wyświetl wszystkie najnowsze posty