SiC-MOSFET-Leistungsschaltersteuerung

Ansteuerung von SiC-MOSFETs mit der kompletten Produktpalette der SCALE-Transistortreiber von Power Integrations. Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs verbessern die Schalteffizienz in Hochleistungswechselrichtern erheblich durch hohe Durchbruch- und Ladungsdriftfestigkeit sowie verbesserte thermische Effizienz.

In kompakten Gehäuseanwendungen benötigen SiC-MOSFETs jedoch einen schnellen Kurzschlussschutz, was eine Herausforderung für Treiber darstellt, die weite Spannungsbereiche über verschiedene SiC-Strukturen hinweg unterstützen.

SCALE-iDriver SiC-MOSFET-ICs

Die neuen integrierten Schaltkreise SIC1182K SCALE-iDriver von Power Integrations sind hocheffiziente Einkanal-SiC-MOSFET-Treiber, die höchste Spitzenausgangsströme liefern. Die Treiber lassen sich an verschiedene Steuerspannungen anpassen und erfüllen somit die Anforderungen aktuell verfügbarer SiC-MOSFETs.

SCALE-iDriver Treiber-ICs und SCALE-2, SCALE-2+ Treiberkerne

Neben der Ansteuerung herkömmlicher Si-basierter Bauelemente wie IGBTs und MOSFETs können die Treiberkerne SCALE-2 und SCALE-2+ sowie die SCALE-iDriver ICs auch SiC-basierte MOSFETs ansteuern.

Verfügbare Treiber für Leistungsintegration:

• SIC1182K - SiC-MOSFET-Gate Treiber

• SCALE-iDriver - Gate-Treiber-IC

• 2SC0115T-12 - SCALE-2+ Treiberkern

• 2SC0435T-17 - SCALE-2+ Treiberkern

• 1SC2060P-17 - SCALE-2 Treiberkern mit planaren Transformatoren

• 2SC0650P-17 - SCALE-2 Treiberkern mit planaren Transformatoren

• 2SC0535T-17 - SCALE-2 Treiberkern

• 2SC0635T-45 - SCALE-2 Treiberkern

SiC stellt neue Herausforderungen für Transistortreiber dar

SiC-MOSFET-Transistoren verschiedener Hersteller und Generationen zeichnen sich durch unterschiedliche Ansteuerspannungen aus. Einige Bauelemente arbeiten mit Spannungen von 15 V/-10 V, andere mit 19 V/-6 V. Darüber hinaus benötigen manche Transistoren eine geregelte Einschaltspannung, andere hingegen eine geregelte negative Ausschaltspannung, um ein Überschreiten des sicheren Gate-Source-Spannungsbereichs zu verhindern.

Die SCALE-Treiberstruktur ermöglicht die Anpassung des Bauelements an verschiedene Versorgungsspannungen. Für weitere Informationen klicken Sie bitte auf den Link.

Der Power Integrations SCALE-iDriver kann durch Anpassen der Versorgungsspannung an V_GS

an verschiedene SiC-MOSFET-Typen angeschlossen werden.

Pinbelegung verschiedener SCALE-Treiber mit markierten VEx/VEE-Pins

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Warum SiC-MOSFETs mit SCALE-Treibern ansteuern?

Anpassung der Gate-Steuerspannung über externe VEE-Schaltungen Gute Kurzschlussfestigkeit mit einer Ansprechzeit von <= µs Hohe Ausgangsstromwerte Hohe Isolationsfähigkeit Fortschrittliche aktive Klemmung mit dv/dt-Rückkopplungsschleife Hohe Schaltfrequenz – bis zu 500 kHz SiC-MOSFET-Durchbruchspannungen bis zu 4,5 kV Hohe MTBF/niedrige FIT Parallelschaltung von MOSFET-Modulen Kompatibel mit allen SiC-MOSFET-Typen

Kurzschlusserkennungstopologie

Umfangreiche Schutzstrukturen für SIC1182K

Fortschrittliche aktive Klemmschleife für SiC Ultraschneller Kurzschlussschutz Steuerung Überlastschutz Schutz vor Spannungseinbrüchen auf der Primär- und Sekundärseite des Controllers (UVLO)

Schutz des SIC1182K-Controllers