Nowe moduły mega POWER DUAL - IGBT

Dane techniczne

• 6 Generacja IGBT z chipami wykonanymi w technologii CSTBT - Moduły 1200V: V_ce(sat)=1,7V @ T_j =125°C; szeroki zakres bezpiecznej pracy przy napięciu V_cc =900V
• Moduły 1700V: V_ce(sat)=2,2V @ T_j =125°C; szeroki zakres bezpiecznej pracy przy napięciu V_cc =1200V
• T_j(max)=175°C - Nowe aluminiowe podstawy bez połączeń lutowanych. Wysoka odporność na cykle temperaturowe,
• Niska rezystancja termiczna R_th(j-c)
• Zminimalizowana wewnętrzna indukcyjność L_PN =5,1nH (obudowa MPD2)
• Odpowiedni rozkład złączy dla obwodów AC oraz DC pozwalający na łatwe zaprojektowanie oszynowania.
• Wielootworowe złącza główne ograniczające rezystancję zestyku oraz poprawiające niezawodność połączeń.
• Zintegrowany termistor NTC jako czujnik temperatury Tc
• Pomocnicze złącza dostępne dla grupy emiterowej oraz kolektorowej tranzystorów IGBT

Aplikacje

• Przekształtniki najwyższych mocy

Obudowa		Napięcie	MPD1		MPD2
Symbol	Schemat	VCES [V]	IC[A]
			1100	1500	1500	2500
D		1200		CM1500DY-24S		CM2500DY-24S
		1700	CM1100DY-34S		CM1800DY-34S

Obudowa - MPD1	Obudowa - MPD2