5 generacja modułów IPM - dla zastosowań jako przekształtnik w bateriach słonecznych
5 generacja modułów IPM - dla zastosowań jako przekształtnik w bateriach słonecznych

Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: Mitsubishi

5 generacja modułów IPM - dla zastosowań jako przekształtnik w bateriach słonecznych

Właściwości:

  • 5 generacja struktury kanałowej CSTBT z niskim napięciem przewodzenia VCE(sat) = 1,55 V przy prądzie znamionowym i temperaturze Tj = 125°C
  • zawiera szybki układ sterowania (częstotliwość do 30 kHz )
  • niski poziom zakłóceń
  • indywidualne zabezpieczenie temperaturowe struktury
  • kompaktowa obudowa

Dane elektryczne

TypMaksymalne parametryVCE(sat)KonfiguracjaObudowa
VCES
[V]
Ic
[A]
Tj =25°C
[V]
PM50B4LA060600501,551 inwerterL1 śruby
PM50B4LB060600501,551 inwerterL2 PINY
PM50B5LA060600501,551 inwerter + 1 czoperL1 śruby
PM50B5LB060600501,551 inwerter + 1 czoperL2 PINY
PM50B6LA060 501,551 inwerter + 2 czoperyL1 śruby
PM50B6LB060600501,551 inwerter + 2 czoperyL2 PINY
PM75B4LA060600751,551 inwerterL1 śruby
PM75B4LB060600751,551 inwerterL2 PINY
PM75B5LA060600751,551 inwerter + 1 czoperL1 śruby
PM75B5LB060600751,551 inwerter + 1 czoperL2 PINY
PM75B6LA060600751,551 inwerter + 2 czoperyL1 śruby
PM75B6LB060600751,551 inwerter + 2 czoperyL2 PINY

PM50B4LA060, PM50B5LA060, PM50B6LA060, PM75B5LA060, PM75B6LA060, PM50B4LB060PM50B5LB060, PM50B6LB060, PM75B4LB060, PM75B5LB060, PM75B6LB060, PM75B4LA060

PM50B4LA060, PM50B5LA060, PM50B6LA060, PM75B5LA060, PM75B6LA060, PM75B4LA060PM50B4LB060, PM50B5LB060, PM50B6LB060, PM75B4LB060, PM75B5LB060, PM75B6LB060

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

Właściwości:

  • 5 generacja struktury kanałowej CSTBT z niskim napięciem przewodzenia VCE(sat) = 1,55 V przy prądzie znamionowym i temperaturze Tj = 125°C
  • zawiera szybki układ sterowania (częstotliwość do 30 kHz )
  • niski poziom zakłóceń
  • indywidualne zabezpieczenie temperaturowe struktury
  • kompaktowa obudowa

Dane elektryczne

TypMaksymalne parametryVCE(sat)KonfiguracjaObudowa
VCES
[V]
Ic
[A]
Tj =25°C
[V]
PM50B4LA060600501,551 inwerterL1 śruby
PM50B4LB060600501,551 inwerterL2 PINY
PM50B5LA060600501,551 inwerter + 1 czoperL1 śruby
PM50B5LB060600501,551 inwerter + 1 czoperL2 PINY
PM50B6LA060 501,551 inwerter + 2 czoperyL1 śruby
PM50B6LB060600501,551 inwerter + 2 czoperyL2 PINY
PM75B4LA060600751,551 inwerterL1 śruby
PM75B4LB060600751,551 inwerterL2 PINY
PM75B5LA060600751,551 inwerter + 1 czoperL1 śruby
PM75B5LB060600751,551 inwerter + 1 czoperL2 PINY
PM75B6LA060600751,551 inwerter + 2 czoperyL1 śruby
PM75B6LB060600751,551 inwerter + 2 czoperyL2 PINY

PM50B4LA060, PM50B5LA060, PM50B6LA060, PM75B5LA060, PM75B6LA060, PM50B4LB060PM50B5LB060, PM50B6LB060, PM75B4LB060, PM75B5LB060, PM75B6LB060, PM75B4LA060

PM50B4LA060, PM50B5LA060, PM50B6LA060, PM75B5LA060, PM75B6LA060, PM75B4LA060PM50B4LB060, PM50B5LB060, PM50B6LB060, PM75B4LB060, PM75B5LB060, PM75B6LB060
Komentarze (0)