Zdjęcia mają charakter wyłącznie informacyjny. Zobacz specyfikację produktu

proszę używać znaków łacińskich

Producent: Naina Semiconductor

Dioda szybkiego powrotu 12NSFR

  • 12NSFR
  • IFAV 12
  • IFSM 150
  • Obudowa DO-4
  • VRRM (V) 100-1600
  • VFM (V) 1,4
  • Rth (j-c) (oC/W) 2,1
  • trr (ns) 350

Diody szybkiego powrotu są wykonane z układów z pasywacją szklaną i montowane w wysoce niezawodnych, solidnych, hermetycznie zamkniętych obudowach. Są mechanicznie wytrzymałe i stabilne w niekorzystnych warunkach środowiskowych.

Cechy

  • Bardzo krótki czas powrotu (very low reverse recovery time)
  • Bardzo niskie straty przy przełączaniu (very low switching losses)
  • Możliwość klasyfikacji jako diody o nadzwyczajnie szybkim powrocie (Super-Fast Recovery Diodes) w zależności od czasu powrotu

Zastosowania

  • Przetwarzanie DC-AC (inwertery)
  • Układy korekcji współczynnika mocy (PFC)
  • Sektor motoryzacyjny
  • Wszystkie typy zasilaczy impulsowych (switching power supplies)
  • Inne urządzenia przemysłowe

Parametry

Parametr Wartość
Zakres prądowy 12 A – 150 A
Maks. napięcie do 1800 V
Obudowy Stud Base
Gwinty metryczne i UNF


Możliwość zmiany wymiarów obudowy i gwintu

Mniej
Czytaj więcej

Wyślij zapytanie ofertowe

Jesteś zainteresowany tym produktem? Potrzebujesz dodatkowych informacji lub indywidualnej wyceny?

Skontaktuj się z nami
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Dziękujemy za przesłanie wiadomości. Odpowiemy możliwie najszybciej.
ZAPYTAJ O PRODUKT close
Przeglądaj
wyślij zapytanie

Dodaj do schowka

Musisz być zalogowany/a

  • IFAV 12
  • IFSM 150
  • Obudowa DO-4
  • VRRM (V) 100-1600
  • VFM (V) 1,4
  • Rth (j-c) (oC/W) 2,1
  • trr (ns) 350

Diody szybkiego powrotu są wykonane z układów z pasywacją szklaną i montowane w wysoce niezawodnych, solidnych, hermetycznie zamkniętych obudowach. Są mechanicznie wytrzymałe i stabilne w niekorzystnych warunkach środowiskowych.

Cechy

  • Bardzo krótki czas powrotu (very low reverse recovery time)
  • Bardzo niskie straty przy przełączaniu (very low switching losses)
  • Możliwość klasyfikacji jako diody o nadzwyczajnie szybkim powrocie (Super-Fast Recovery Diodes) w zależności od czasu powrotu

Zastosowania

  • Przetwarzanie DC-AC (inwertery)
  • Układy korekcji współczynnika mocy (PFC)
  • Sektor motoryzacyjny
  • Wszystkie typy zasilaczy impulsowych (switching power supplies)
  • Inne urządzenia przemysłowe

Parametry

Parametr Wartość
Zakres prądowy 12 A – 150 A
Maks. napięcie do 1800 V
Obudowy Stud Base
Gwinty metryczne i UNF


Możliwość zmiany wymiarów obudowy i gwintu

Mniej
Czytaj więcej
Komentarze (0)