shopping_cart
Koszyk
0,00 PLN
0
Schowek
Musisz być zalogowany/a
-
-
-
Category
-
Półprzewodniki
- Diody
-
Tyrystory
- Tyrystory firmy VISHAY (IR)
- Tyrystory firmy LAMINA
- Tyrystory firmy INFINEON (EUPEC)
- Tyrystory firmy ESTEL
- Tyrystory firmy WESTCODE
- Tyrystory firmy Semikron
- Tyrystory firmy POWEREX
- Tyrystory firmy DYNEX
- Tyrystory do grzejnictwa indukcyjnego
- Tyrystory firmy ABB
- Tyrystory firmy TECHSEM
- Przejdź do podkategorii
-
Moduły elektroizolowane
- Moduły elektroizolowane firmy VISHAY (IR)
- Moduły elektroizolowane firmy INFINEON (EUPEC)
- Moduły elektroizolowane firmy Semikron
- Moduły elektroizolowane firmy POWEREX
- Moduły elektroizolowane firmy IXYS
- Moduły elektroizolowane firmy POSEICO
- Moduły elektroizolowane firmy ABB
- Moduły elektroizolowane firmy TECHSEM
- Przejdź do podkategorii
- Mostki prostownicze
-
Tranzystory
- Tranzystory firmy GeneSiC
- Moduły SiC MOSFET firmy Mitsubishi
- Moduły SiC MOSFET firmy STARPOWER
- Moduły SiC MOSFET firmy ABB
- Moduły IGBT firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy MITSUBISHI
- Moduły MOSFET firmy MITSUBISHI
- Moduły tranzystorowe firmy ABB
- Moduły IGBT firmy POWEREX
- Moduły IGBT - firmy INFINEON (EUPEC)
- Elementy półprzewodnikowe z węglika krzemu
- Przejdź do podkategorii
- Sterowniki
- Bloki mocy
- Przejdź do podkategorii
- Przetworniki prądowe i napięciowe LEM
-
Elementy pasywne (kondensatory, rezystory, bezpieczniki, filtry)
- Rezystory
-
Bezpieczniki
- Bezpieczniki miniaturowe do układów elektronicznych seria ABC i AGC
- Bezpieczniki szybkie rurkowe
- Wkładki zwłoczne o charakterystykach GL/GG oraz AM
- Wkładki topikowe ultraszybkie
- Bezpieczniki szybkie standard brytyjski i amerykański
- Bezpieczniki szybkie standard europejski
- Bezpieczniki trakcyjne
- Wkładki bezpiecznikowe wysokonapięciowe
- Przejdź do podkategorii
-
Kondensatory
- Kondensatory do silników
- Kondensatory elektrolityczne
- Kondensatory foliowe Icel
- Kondensatory mocy
- Kondensatory do obwodów DC
- Kondensatory do kompensacji mocy
- Kondensatory wysokonapięciowe
- Kondensatory do grzejnictwa indukcyjnego
- Kondensatory impulsowe
- Kondensatory DC LINK
- Kondensatory do obwodów AC/DC
- Przejdź do podkategorii
- Filtry przeciwzakłóceniowe
- Superkondensatory
-
Zabezpieczenia przeciwprzepięciowe
- Ograniczniki przepięć dla aplikacji RF
- Ograniczniki przepięć dla systemów wizyjnych
- Ograniczniki przepięć linii zasilających
- Ograniczniki przepięć do LED
- Ograniczniki przepięć do Fotowoltaiki
- Ograniczniki przepięć dla systemów wagowych
- Ograniczniki przepięć dla magistrali Fieldbus
- Przejdź do podkategorii
- Filtry emisji ujawniającej TEMPEST
- Przejdź do podkategorii
-
Przekaźniki i Styczniki
- Teoria przekaźniki i styczniki
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC 3-fazowe
- Przekaźniki półprzewodnikowe DC
- Regulatory, układy sterujące i akcesoria
- Soft starty i styczniki nawrotne
- Przekaźniki elektromechaniczne
- Styczniki
- Przełączniki obrotowe
-
Przekaźniki półprzewodnikowe AC 1-fazowe
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii 1 | D2425 | D2450
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii CWA I CWD
- Przekażniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii CMRA I CMRD
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC jednofazowe serii PS
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC podwójne i poczwórne serii D24 D, TD24 Q, H12D48 D
- 1-fazowe przekaźniki półprzewodnikowe serii gn
- Przekaźniki półprzewodnikowe ac jednofazowe serii ckr
- Przekaźniki AC jednofazowe na szynę din SERII ERDA I ERAA
- Przekaźniki jednofazowe AC na prąd 150A
- Podwójne przekaźniki półprzewodnikowe zintegrowane z radiatorem na szynę DIN
- Przejdź do podkategorii
- Przekaźniki półprzewodnikowe AC 1-fazowe do druku
- Przekaźniki interfejsowe
- Przejdź do podkategorii
- Rdzenie oraz inne elementy indukcyjne
- Radiatory, Warystory, Zabezpieczenia termiczne
- Wentylatory
- Klimatyzacja, Osprzęt do szaf rozdzielczych, Chłodnice
-
Akumulatory, ładowarki, zasilacze buforowe i przetwornice
- Akumulatory, ładowarki - opis teoretyczny
- Baterie litowo-jonowe. Niestandardowe baterie. System zarządzania baterią (BMS)
- Akumulatory
- Ładowarki akumulatorów i akcesoria
- Zasilacze UPS i zasilacze buforowe
- Przetwornice i osprzęt do fotowoltaiki
- Magazyny energii
- Wodorowe ogniwa paliwowe
- Ogniwa litowo-jonowe
- Przejdź do podkategorii
-
Automatyka
- Części do dronów Futaba
- Wyłączniki krańcowe, Mikrowyłączniki
- Czujniki, Przetworniki
- Pirometry
- Liczniki, Przekaźniki czasowe, Mierniki tablicowe
- Przemysłowe urządzenia ochronne
- Sygnalizacja świetlna i dźwiękowa
- Kamera termowizyjna
- Wyświetlacze LED
- Przyciski i przełączniki
-
Rejestratory
- Rejestrator AL3000
- Rejestrator KR2000
- Rejestrator KR5000
- Miernik z funkcją rejestracji wilgotności i temperatury HN-CH
- Materiały eksploatacyjne do rejestratorów
- Rejestrator 71VR1
- Rejestrator KR 3000
- Rejestratory PC serii R1M
- Rejestratory PC serii R2M
- Rejestrator PC, 12 izolowanych wejść – RZMS-U9
- Rejestrator PC, USB, 12 izolowanych wejść – RZUS
- Przejdź do podkategorii
- Przejdź do podkategorii
-
Przewody, Lica, Peszle, Połączenia elastyczne
- Druty
- Lica
-
Kable do zastosowań specjalnych
- Przewody przedłużające i kompensujące
- Przewody do termopar
- Przewody podłączeniowe do czyjnków PT
- Przewody wielożyłowe temp. -60°C do +1400°C
- SILICOUL przewody średniego napięcia
- Przewody zapłonowe
- Przewody grzejne
- Przewody jednożyłowe temp. -60°C do +450°C
- Przewody kolejowe
- Przewody grzejne w Ex
- Przewody dla przemysłu obronnego
- Przejdź do podkategorii
- Koszulki
-
Plecionki
- Plecionki płaskie
- Plecionki okrągłe
- Bardzo giętkie plecionki - płaskie
- Bardzo giętkie plecionki - okrągłe
- Miedziane plecionki cylindryczne
- Miedziane plecionki cylindryczne i osłony
- Paski uziemiające giętkie
- Plecionki cylindryczne z ocynkowanej i nierdzewnej stali
- Miedziane plecionki izolowane PCV - temperatura do 85 stopni C
- Płaskie plecionki aluminiowe
- Zestaw połączeniowy - plecionki i rurki
- Przejdź do podkategorii
- Osprzęt dla trakcji
- Końcówki kablowe
- Szyny elastyczne izolowane
- Wielowarstwowe szyny elastyczne
- Systemy prowadzenia kabli
- Peszle, rury
- Przejdź do podkategorii
- Zobacz wszystkie kategorie
-
Półprzewodniki
-
-
Tranzystory firmy GeneSiC
Kategorie
Informacje
Produkty, które są oznaczone jako "Na zamówienie" w kolumnie „Dostępna ilość” zwykle nie występują w magazynie.
Takie produkty są dostępne do zakupu, jednak ze względu na ograniczoną bazę klientów charakteryzują się zwykle wyższymi minimalnymi ilościami.
DACPOL oferuje produkty, które nie występują w magazynie z następujących względów:
Firma DACPOL posiada aktualnie w magazynie dużą ilość komponentów elektronicznych i codziennie dodaje nowe produkty jednak u naszych dostawców dostępne są dziesiątki tysięcy dodatkowych komponentów i ich różne warianty.
Pomimo, że posiadanie wszystkich tych produktów w magazynie jest nieuzasadnione ze względu na ograniczony zbyt, wierzymy, że ich udostępnienie leży w najlepszym interesie naszych klientów.
Naszym celem jest przekazanie klientom informacji na temat maksymalnej liczby dostępnych produktów i umożliwienie im podjęcia decyzji w oparciu o specyfikacje, ceny, dostępność, wymagane minima oraz nasze doradztwo techniczne.
Należy pamiętać, że zaznaczenie pola wyboru „W magazynie” może ograniczyć wyświetlanie tylko do produktów dostępnych do dostawy wprost z półki.
| Obraz | Zobacz produkt | Nr producenta | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F09MT12GB4 Moduł Mosfet SiC | ZOBACZ | G3F09MT12GB4 | Na zamówienie | SiCPAK G Series | -- | Pełny mostek | -- | -- | -- | -- | 9,3 | -- | 104 | 1200 |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12K | ZOBACZ | G3F75MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | 30 A | -- | 21 A | -- | -- | 1200 V | 75 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F75MT12J | ZOBACZ | G3F75MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | 31 A | -- | 22 A | -- | -- | 1200 V | 75 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12K | ZOBACZ | G3F40MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | 55 A | -- | 39 A | -- | -- | 1200 V | 40 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F40MT12J | ZOBACZ | G3F40MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | 59 A | -- | 42 A | -- | -- | 1200 V | 40 mΩ | -- | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12K | ZOBACZ | G3F20MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | -- | -- | -- | -- | -- | 1200 V | 20 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F20MT12J | ZOBACZ | G3F20MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | 108 A | -- | 76 A | -- | -- | 1200 V | 20 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06J | ZOBACZ | G3F60MT06J | Na zamówienie | TO-263-7 | 44 A | -- | 31 A | -- | -- | 650 V | 55 mΩ | 68 mΩ | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F60MT06D | ZOBACZ | G3F60MT06D | Na zamówienie | TO-247-3 | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | -- | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06K | ZOBACZ | G3F45MT06K | Na zamówienie | TO-247-4 | 52 A | -- | 37 A | -- | -- | 650 V | 42 mΩ | 55 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06J | ZOBACZ | G3F45MT06J | Na zamówienie | TO-263-7 | 56 A | -- | 39 A | -- | -- | 650 V | 42 mΩ | 55 mΩ | -- | -- |
| -- |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06D | ZOBACZ | G3F45MT06D | Na zamówienie | TO-247-3 | -- | -- | -- | -- | -- | 650 V | 42 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06K | ZOBACZ | G3F33MT06K | Na zamówienie | TO-247-4 | 74 A | -- | 53 A | -- | -- | 650 V | 28,5 mΩ | 38 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06J | ZOBACZ | G3F33MT06J | Na zamówienie | TO-263-7 | 80 A | -- | 56 A | -- | -- | 650 V | 28,5 mΩ | 38 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F25MT06L | ZOBACZ | G3F25MT06L | Na zamówienie | TOLL | 125 A | -- | 88 A | -- | -- | 650 V | 20,5 mΩ | 29 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F33MT06L | ZOBACZ | G3F33MT06L | Na zamówienie | TOLL | 90 A | -- | 64 A | -- | -- | 650 V | 28,5 mΩ | 38 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F45MT06L | ZOBACZ | G3F45MT06L | Na zamówienie | TOLL | 61 A | -- | 43 A | -- | -- | 650 V | 42 mΩ | 55 mΩ | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F05MT12GB2 Moduł Mosfet SiC | ZOBACZ | G3F05MT12GB2 | Na zamówienie | SiCPAK G Series | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | 4,6 | -- | 216 | 1200 |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F18MT12FB4 Moduł Mosfet SiC | ZOBACZ | G3F18MT12FB4 | Na zamówienie | SiCPAK F Series | -- | Pełny mostek | -- | -- | -- | -- | 18,5 | -- | 53 | 1200 |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F17MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | ZOBACZ | G3F17MT12FB2 | Na zamówienie | SiCPAK F Series | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | 17 | -- | 68 | 1200 |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | G3F09MT12FB2 Moduł Mosfet SiC | ZOBACZ | G3F09MT12FB2 | Na zamówienie | SiCPAK F Series | -- | półmostek | -- | -- | -- | -- | 9,3 | -- | 109 | 1200 |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F135MT12J | ZOBACZ | G3F135MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | 18 A | -- | 13 A | -- | -- | 1200 V | 135 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12K | ZOBACZ | G3F65MT12K | Na zamówienie | TO-247-4 | 35 A | -- | 25 A | -- | -- | 1200 V | 65 mΩ | -- | -- | -- |
| picture_as_pdf |
|
GeneSiC Semiconductor | Tranzystor SiC Mosfet G3F65MT12J | ZOBACZ | G3F65MT12J | Na zamówienie | TO-263-7 | 37 A | -- | 26 A | -- | -- | 1200 V | 65 mΩ | -- | -- | -- |
Wyników na stronę:
Tranzystory MOSFET SiC firmy GeneSiC zapewniają doskonałą przewodność i wydajność przełączania w porównaniu z krzemem (Si) ze względu na ich charakterystykę „szerokiego pasma wzbronionego” i wysoką siłę pola elektrycznego.
Opatentowana przez GeneSiC technologia Trench-Assisted Planar zapewnia najniższy współczynnik RDS(ON) w wysokich temperaturach i najniższe straty energii przy dużych prędkościach. Umożliwia to osiągnięcie niespotykanego dotąd, wiodącego w branży poziomu wydajności, solidności i jakości.
Zapraszamy do zapoznania się z najszerszą gamą tranzystorów MOSFET SiC 650 V – 6,5 kV.
Powiązane posty
