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Hersteller: Naina Semiconductor

135NSF-Diode mit schneller Rückführung

  • 135NSF
  • IFAV 135
  • IFSM 2500
  • Gehäuse DO-8
  • VRRM (V) 100-1600
  • 0,4
    1,7
    300

Fast-Recovery-Dioden bestehen aus glaspassivierten Schaltkreisen und sind in hochzuverlässigen, robusten und hermetisch abgedichteten Gehäusen untergebracht. Sie sind mechanisch robust und stabil auch unter widrigen Umgebungsbedingungen.

Merkmale

  • Sehr kurze Sperrverzögerungszeit
  • Sehr geringe Schaltverluste
  • Kann aufgrund der Wiederherstellungszeit als Super-Fast-Recovery-Dioden klassifiziert werden

Anwendungen

  • DC-AC-Wandlung (Wechselrichter)
  • Leistungsfaktorkorrektursysteme (PFC)
  • Automobilindustrie
  • Alle Arten von Schaltnetzteilen
  • Andere Industriegeräte

Parameter

Parameter Wert
Strombereich 12 A – 150 A
Max. Spannung bis 1800 V
Gehäuse Bolzensockel
Gewinde Metrisch und UNF


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  • 0,4
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    300

Fast-Recovery-Dioden bestehen aus glaspassivierten Schaltkreisen und sind in hochzuverlässigen, robusten und hermetisch abgedichteten Gehäusen untergebracht. Sie sind mechanisch robust und stabil auch unter widrigen Umgebungsbedingungen.

Merkmale

  • Sehr kurze Sperrverzögerungszeit
  • Sehr geringe Schaltverluste
  • Kann aufgrund der Wiederherstellungszeit als Super-Fast-Recovery-Dioden klassifiziert werden

Anwendungen

  • DC-AC-Wandlung (Wechselrichter)
  • Leistungsfaktorkorrektursysteme (PFC)
  • Automobilindustrie
  • Alle Arten von Schaltnetzteilen
  • Andere Industriegeräte

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Gewinde Metrisch und UNF


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