Die nächste Generation von Hochleistungs-IGBT-Modulen

Anwendungen wie Windkraftumrichter, zentrale Photovoltaik-Wechselrichter und Industrieantriebe benötigen Leistungsmodule mit höchster Leistungsdichte, hoher Zuverlässigkeit und skalierbaren Leistungsbereichen, die den Standardrichtlinien der Spannungsklassen 1200 V und 1700 V entsprechen. Um diese Anforderungen zu erfüllen, basiert das Leistungsmodul LV100 auf dem gleichen externen Gehäusekonzept und internen Layout wie das bewährte LV100 HVIGBT-Modul. Dieses Konzept ist überzeugend, da es auf einem standardisierten Gehäuse basiert und gleichzeitig höchste Leistungsdichte, Skalierbarkeit durch einfache Parallelschaltung, geringe Fremdinduktivität, die Kompatibilität mit schnell schaltenden Bauelementen wie SiC-MOSFETs und eine exzellente Stromverteilung ermöglicht. In Kombination mit den neuesten effizienten IGBTs und Dioden der 7. Generation sowie der ausfallsicheren und thermisch wechselbeständigen SLC-Gehäusetechnologie bietet das LV100-Modul eine optimale Gesamtleistung. Bei 1700 V wurde ein Strom von 1200 A erreicht, was angesichts der kompakten Gehäusegröße von nur 144 x 100 mm² eine außergewöhnliche Stromdichte darstellt.