G2R1000MT17D MOSFET SiC
  • G2R1000MT17D MOSFET SiC

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G2R1000MT17D MOSFET SIC.

  • G2R1000MT17D
  • Gehäusetyp TO-247-3
  • UDS Spannung 1700 V
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 5:00 AM
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 4:00 AM
  • Rds(on) 1 Ohm
19,04 PLN
19,04 PLN Bruttopreis / Stck.
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  • Gehäusetyp TO-247-3
  • UDS Spannung 1700 V
  • Dauerstrom ID bei Tc=25oC 5:00 AM
  • Dauerstrom ID bei Tc=100oC 4:00 AM
  • Rds(on) 1 Ohm